【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体发光装置，包括：一基板；一第一磊晶结构，位于所述基板上，该第一磊晶结构包含一第一掺杂层、一第一发光层、一第二掺杂层；一第一导电层耦接所述第二掺杂层；一第二磊晶结构，该第二磊晶结构包含一第三掺杂层、一第二发光层、一第四掺杂层；一第二导电层耦接所述第四掺杂层；以及一绝缘层位于所述第一导电层与所述第二导电层之间。
【技术特征摘要】
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