【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种发光二极管装置，包括至少一发光二极管单元。每一发光二极管单元包括第一发光二极管、第二发光二极管及IV族氮化物结构。IV族氮化物结构作为隧穿结位于第一发光二极管与第二发光二极管之间。IV族氮化物结构富含IV族元素，并且包括至少一IV族氮化物层，以及位于IV族氮化物层内的多个IV族纳米颗粒。【专利说明】发光二极管装置
本专利技术涉及一种发光二极管装置，特别是关于一种具有IV族氮化物结构的堆叠发光二极管。
技术介绍
为了提高发光二极管(LED)的发光效率，一种方法是使用隧穿结(tunneljunction)将二或多个发光二极管叠加起来。叠加发光二极管比单一发光二极管放射更多的光线，因而提高亮度。使用隧穿结还可强化电流的分散(spreading)，使得活性层内更多的载子可进行再结合(recombination)。此外，叠加发光二极管较同样数目的单一发光二极管具有较少的电极接触，不但可节省空间，且可降低所造成的电迁移(electromigration)问题。一种传统形成隧穿结的方法是使用重掺杂技术，如美国专利US6，822，991，名称为“包括隧穿结...
【技术保护点】
一种发光二极管装置，包括：至少一个发光二极管单元，该至少一个发光二极管单元包括：第一发光二极管，该第一发光二极管包括n侧氮化物半导体层、第一活性层和p侧氮化物半导体层；第二发光二极管，该第二发光二极管包括n侧氮化物半导体层、第二活性层和p侧氮化物半导体层；以及IV族氮化物结构，其富含IV族元素，并且包括至少一个IV族氮化物层，以及位于该IV族氮化物层内的多个IV族纳米颗粒，该IV族氮化物结构作为隧穿结位于所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许进恭，赖韦志，
申请(专利权)人：华夏光股份有限公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛;KY
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