一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管制造技术

本发明专利技术公开一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管，包括一衬底，衬底下表面连接第一电极，沿衬底的上表面依次生长有布拉格反射层、第一P型限制层、第一有源层、第一N型限制层、第一N型电流扩展层、腐蚀截止层、第二N型电流扩展层、第二N型限制层、第二有源层、第二P型限制层、第二P型电流扩展层，第二P型电流扩展层的上表面连接第二电极，第二N型电流扩展层的侧面连接第三电极，第一电极和第二电极的极性相同，第三电极与第一电极和第二电极的极性相反；本发明专利技术能同时或分别发出两种不同颜色的光，降低了需要变色或配色的发光二极管的制造成本；另一方面也可有效提高发光二极管的亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及AlGaInP系发光二极管的外延结构，尤其是一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管。
技术介绍
发光二极管由于其低功耗、尺寸小和可靠性高而作为主要的光源得到迅猛的发展。特别近十年来发光二极管的利用领域正在迅速的扩展。提高亮度和降低发光二极管的成本成为LED领域发展的目标。目前市场所有的具有可改变发光波长的AlGaInP系LED产品都是把两颗以上的 发光二极管封装在一起，利用驱动电路改变其发光的颜色或配色。其发光二极管的外延结构都是单套结构，即在GaAs衬底上形成布拉格反射层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、电流扩展层等这种外延结构。这种传统的改变发光波长的方式需要多颗芯片，增加了芯片和封装的成本，而且只要有一颗发光二极管出现质量问题或封装问题，就失去了其变色和配色的功能。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管，能同时或分别发出两种不同颜色的光，降低了需要变色或配色的发光二极管的制造成本；另一方面也可有效提高发光二极管的亮度。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是一种具有双外延结构的AlGaInP系的发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，蔡建九，陈凯轩，张永，单智发，林志园，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：