一种叠层式LED芯片及其制造方法技术

本发明专利技术揭露了一种叠层式LED芯片的结构及其制造方法，所述叠层式LED芯片的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一层至第n层管芯，并在相邻层管芯之间形成透明导电层，n大于等于2；以及在第一层管芯上形成N电极，并在第n层管芯上形成P电极。这样，管芯之间不形成与管芯中PN结反向的PN结，避免了电压畸高的问题，使得同样面积的叠层式LED芯片可以相当于数个传统的LED芯片，达到提高光效的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种叠层式LED芯片及其制造方法
本专利技术涉及LED制造
，尤其涉及一种叠层式LED芯片及其制造方法。
技术介绍
发光二级管（LED，LightEmittingDiode）是一种半导体固体发光器件，其利用半导体PN结作为发光材料，可以将电转换为光。当半导体PN结的两端加上正向电压后，注入PN结中的电子和空穴发生复合，将过剩的能量以光子的形式释放出来。LED具有寿命长，功耗低的优点，随着技术的日渐成熟，对LED的功率和亮度的要求要求也越来越高。高光效（Lm/W）是LED取代传统光源的主要优势所在，但真正的普及应用取决于成本的降低。这就要求单位面积的芯片能够提供更多的光，即单位面积芯片总光通量需要更进一步的提升。常规的做法是增加芯片的驱动电流，但由于LED芯片固有的Efficiency-Droop从原理上限制了驱动电流的极限，随着电流密度的增加伴随着热的加速积累，寿命缩短、光效降低等问题接踵而来。
技术实现思路
本专利技术提供一种叠层式LED芯片及其制造方法，用以解决叠层式LED芯片电压畸高的难题，达到提高光效的目的。为解决以上问题，本专利技术提供一种叠层式LED芯片的制造方法，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层式LED芯片的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一层至第n层管芯，并在相邻层管芯之间形成透明导电层，n大于等于2；以及在第一层管芯上形成N电极，并在第n层管芯上形成P电极。

【技术特征摘要】
1.一种叠层式LED芯片的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一层至第n层管芯，并在相邻层管芯之间形成透明导电层，n大于等于2；形成每一层透明导电层后，还包括：形成贯穿所述透明导电层的孔洞，以暴露出前一层管芯，后一层管芯以前一层管芯的晶格结构为模版生长，并使相邻的管芯之间直接相连；以及在第一层管芯上形成N电极，并在第n层管芯上形成P电极。2.如权利要求1所述的叠层式LED芯片的制造方法，其特征在于：所述孔洞形状为圆形或正六边形。3.如权利要求1或2所述的叠层式LED芯片的制造方法，其特征在于：所述孔洞均匀分布在透明导电层中。4.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪洋，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：