【技术实现步骤摘要】
本公开涉及通过首先使用激光束和其次研磨硅片形成硅通孔的方法。
技术介绍
发光装置芯片(例如，发光二级管(LED))被称为半导体装置，其通过由化合物半导体的PN结配置光源来实现各种颜色的光。LED由于光的强方向性而具有低驱动电压，并具有诸如寿命长、尺寸小、重量轻的优点。另外，LED具有强的耐碰撞和振动性，不需要预热时间和复杂的驱动，并且以各种类型进行封装，因此可运用到各种应用。LED已经在封装工艺中用陶瓷进行封装。主要将铝用于陶瓷封装件。然而，因为铝具有低的散热特性，所以陶瓷封装件不可用于高输出的LED。AlN可被认为是用于高输出的LED封装件的散热构件。然而，AlN是昂贵的。作为用于形成陶瓷封装件的另一种材料，在半导体制造工艺中常使用硅。硅便宜并且具有比铝更高的导热系数，因此具有更高的散热特性。在硅片中形成通孔并且在该通孔中形成金属通孔后，该金属通孔可用作为LED供电的电极。通常，为了形成硅通孔，使用主要在半导体工艺中使用的干蚀刻方法。具体地，具有高蚀刻速率的Bosch工艺可用于穿透硅片。然而，该干蚀刻方法需要用于制备光致抗蚀剂的工艺并且穿透硅片需要相对长的时间...
【技术保护点】
一种通过使用激光烧蚀形成硅通孔的方法，所述方法包括以下步骤：激光打孔，以通过将激光束照射到硅片的上表面上来形成多个凹槽；以及研磨硅片的下表面，以通过在硅片的下表面上暴露所述凹槽来形成多个硅通孔。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金义锡，方祥圭，赵秀贤，金秋浩，池元秀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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