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提供了通过使用激光烧蚀形成硅通孔的方法。所述方法包括：激光打孔，以通过将激光束照射到硅片的上表面上来形成多个凹槽；以及研磨硅片的下表面，以通过在硅片的下表面上暴露所述凹槽来形成多个硅通孔。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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