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本发明是有关于一种氮化镓系半导体发光器件的外延制作方法，包括如下步骤：在图形化衬底表面低温生长成核层；对成核层实施高温退火，使其转变成颗粒状晶核，从而形成凹凸不平的表面；在带有颗粒状晶核的图形化衬底表面依次生长非掺杂GaN层、N型GaN层、...
该专利属于马鞍山圆融光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过马鞍山圆融光电科技有限公司授权不得商用。

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