【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种提高氮化镓基电流扩展的外延结构，其特征在于，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、n型GaN层、n型GaN层n1层、n型AlGaN层、n型GaN层n2层、n型GaN层LN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭丽彬，蒋利民，李刚，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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