氮化镓结晶、13族氮化物结晶、结晶基板、以及它们的制造方法技术

本发明专利技术制造了可切出实用尺寸的结晶基板的大型的大块晶体。本发明专利技术的氮化镓结晶的特征在于，其c轴的长度L为9mm以上，与c轴垂直的截面的晶体直径d为100μm以上，c轴的长度L和与c轴垂直的截面的晶体直径d之比L/d为7以上。通过使该长尺寸的针状晶体变肥大，能够制造体积大的大块晶体，从而能够制造出可切出实用尺寸的结晶基板的大型的大块晶体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
氮化镓(GaN)类半导体材料用于蓝色发光二极管(LED)或白色LED、半导体激光(LD =Laser Diode)等半导体器件中。白色LED作为手机画面、液晶显示器等的背光灯使用，蓝色LED用于信号机或其它电饰等。此外，蓝紫色LD作为蓝光光盘用光源使用。现在，就作为紫外、紫 蓝 绿色光源使用的氮化镓(GaN)类半导体器件而言，除了一部分之外，其它基本上为在蓝宝石或SiC基板上使用MO-CVD法(有机金属化学气相沉积法)或MBE法(分子束外延生长法)等通过晶体生长制作的。作为使用蓝宝石或SiC作为基板时的问题，可以列举由于与13族氮化物的热膨胀系数差和晶格常数差大导致的晶 体缺陷增多。缺陷会对器件特性产生不良影响，导致例如难以延长发光器件的寿命、或工作功率变大这样的问题。为了解决这样的问题，与在基板上结晶生长的材料相同的氮化镓基板是最为适合的。现在，氮化镓的自立基板通过如下方法制造在蓝宝石基板或GaAs基板等不同种类的基板上，进行ELO或advance-DEEP法、VAS法这样的降低位错密度的生长方法，利用HVPE法使氮化镓生长变厚，然后由不同种类的基板上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：南部洋志，岩田浩和，佐藤隆，
申请(专利权)人：株式会社理光，
类型：
国别省市：