Bi置换稀土类铁石榴石单晶及其制造方法、以及光学器件技术

本发明专利技术的具有以R3-xBixFe5-wAwO12(R是从由Y、Eu、Gd、Ho、Yb、Lu、Nd、Tm、La、Sm、Dy、Er、Ce、Pr组成的组中选择的一种或两种以上的稀土类元素且一定包含Gd，A是从由Ga、Al、In、Sc、Co、Ni、Cr、V、Ti、Si、Ge、Mg、Zn、Nb、Ta、Sn、Zr、Hf、Pt、Rh、Te、Os、Ce、Lu组成的组中选择的一种或两种以上的元素，x为0.7＜x≤1.5、w为0＜w≤1.5)表示的组成的Bi置换稀土类铁石榴石单晶，不含有Pb而含有Pt，进而含有Mn或第二族元素的至少一种元素M，在将上述单晶中的M浓度(atppm)表示为[M]、Pt浓度(atppm)表示为[Pt]、且将关系式Δ表示为Δ＝(α×[M])[Pt]时，将系数α设定为0.815±0.035的数值范围内的任意的值，且将Δ值设定为0.40atppm以上3.18atppm以下；本发明专利技术提供不含有铅且形成0.10dB以下的插入损耗的石榴石单晶。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及无铅的Bi置换稀土类铁石榴石单晶及其制造方法，以及具备该Bi置换稀土类铁石榴石单晶的光学器件。
技术介绍
在使用于光隔离器或光循环器等的法拉第转子中，使用通过LPE(Liquid PhaseEpitaxy :液相外延)法培育的Bi置换稀土类铁石榴石单晶(以下，根据需要称为“石榴石单晶” )。LPE法是通过将原料投入坩埚中进行熔化而形成熔融物，并使培育用衬底与该熔 融物接触从而外延生长石榴石单晶的单晶培育方法。由于PbO与B2O3或Bi2O3等一同使用于熔融物中，因此无法避免培育出的石榴石单晶中含有Pb (铅)。近年来，为了避免有害性大的化学物质对环境造成的不良影响，而正在世界范围内开展欲限制产品中含有的有害物质这样的活动，铅也作为有害物质而被指定。作为这样的限制有害物质的一例，可以举出欧盟(EU)施行的RoHS指令(Restriction of HazardousSubstances)等。伴随于此，在石榴石单晶中少量含有的铅因为有可能成为环境污染的主要原因而成为问题。因此，为了使石榴石单晶中不含有铅，需要从不含铅的熔融物进行石榴石单晶的培育。尤其是在被装入光隔离器中的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：白木健一，福原贵志，成田宪士，
申请(专利权)人：并木精密宝石株式会社，
类型：
国别省市：