【技术实现步骤摘要】
一种微型LED阵列芯片
本专利技术涉及LED
,具体涉及一种LED集成芯片。
技术介绍
目前,微显示器件已经凭借其独特的优势成为各科技强国关注的热点。LED微显示器具有许多独特的优点,如主动发光、超高亮度、长寿命、工作电压低、发光效率高、响应速度快、性能稳定可靠、工作温度范围宽等。传统的制作方法是将多个单管LED芯片排列在基座上,然后引线、封装。受到基座的影响,此方法制作的显示器件的发光单元尺寸难以做小,因此分辨率受到一定限制,并不适应今后的小型化、清晰化的发展需要。将半导体工艺技术与MOEMS三维微细加工技术相结合,其工业化生产不需要额外的大额投资,因此,具有广阔的产业化前景。
技术实现思路
本专利技术为解决现有制作LED微显示器存在LED的发光单元尺寸难以做小,导致分辨率受到限制,并且无法适应需要的问题,提供一种微型LED阵列芯片。一种微型LED阵列芯片,包括透光层、发光层、反射层、基片、上电极、上电极引线、下电极、下电极引线、光阑、微透镜、粘接材料和基板;所述透光层、发光层、反射层、基片和微透镜组成LED发光单元;所述反射层的上面依次为发光层、透光层和微透镜,反射层的下面为基片;多个LED发光单元均匀排布组成发光单元阵列,发光单元之间为光阑,所述光阑使各个发光单元依次连接并实现发光单元的隔离;透光层的上表面排布有上电极,光阑的上表面排布有上电极引线,处于同一行的上电极与上电极引线依次相连接,在基片的下表面排布有下电极,在光阑的下表面排布有下电极引线,处于同一列的下电极与下电极引线依次相连接,所述下电极与下电极引线组成的下引线列与上电极及上电极引线组 ...
【技术保护点】
一种微型LED阵列芯片,包括透光层(1)、发光层(2)、反射层(3)、基片(4)、上电极(5)、上电极引线(9)、下电极(6)、下电极引线(10)、光阑(7)、微透镜(8)、粘接材料(12)和基板(11);其特征是,所述透光层(1)、发光层(2)、反射层(3)、基片(4)和微透镜(8)组成LED发光单元;所述反射层(3)的上面依次为发光层(2)、透光层(1)和微透镜(8),反射层(3)的下面为基片(4);多个LED发光单元均匀排布组成发光单元阵列,发光单元之间为光阑(7),所述光阑(7)使各个发光单元依次连接并实现发光单元的隔离;透光层(1)的上表面排布有上电极(5),光阑(7)的上表面排布有上电极引线(9),处于同一行的上电极(5)与上电极引线(9)依次相连接,在基片(4)的下表面排布有下电极(6),在光阑(7)的下表面排布有下电极引线(10),处于同一列的下电极(6)与下电极引线(10)依次相连接,所述下电极(6)与下电极引线(10)组成的下引线列与上电极(5)及上电极引线(9)组成的上引线行在排列方向上异面垂直;基板(11)通过粘接材料(12)固定于发光单元阵列的下表面。
【技术特征摘要】
1.一种微型LED阵列芯片,包括透光层(1)、发光层(2)、反射层(3)、基片(4)、上电极(5)、上电极引线(9)、下电极(6)、下电极引线(10)、光阑(7)、微透镜(8)、粘接材料(12)和基板(11);其特征是,所述透光层(1)、发光层(2)、反射层(3)、基片(4)和微透镜(8)组成LED发光单元;所述反射层(3)的上面依次为发光层(2)、透光层(1)和微透镜(8),反射层(3)的下面为基片(4);多个LED发光单元均匀排布组成发光单元阵列,发光单元之间为光阑(7),所述光阑(7)使各个发光单元依次连接并实现发光单元的隔离;透光层(1)的上表面排布有上电极(5),光阑(7)的上表面排布有上电极引线(9),处于同一行的上电极(5)与上电极引线(9)依次相连接,上电极(5)与上电极引线(9)不共面,在基片(4)的下表面排布有下电极(6),在光阑(7)的下表面排布有下电极引线(10),处于同一列的下电极(6)与下电极引线(10)依次相连接,下电极(6)与下电极引线(10)不共面,所述下电极(6)与下电极引线(10)组成的下引线列与上电极(5)及上电极引线(9)组成的上引线行在排列方向上异面垂直;基板(11)通过粘接材料(12)固定于发光单元阵列的下表面。2.根据权利要求1所述的一种微型LED阵列芯片,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁静秋,梁中翥,王维彪,田超,秦余欣,吕金光,包兴臻,
申请(专利权)人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,
类型:发明
国别省市: