发光元件制造技术

本实用新型专利技术涉及发光元件技术领域，具体公开了一种发光元件，该发光元件包括：基板；第一导电型半导体层，位于所述基板上；发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；正电极，位于所述第二导电型半导体层的正面；以及负电极，至少部分位于所述第一导电型半导体层的侧面。本实用新型专利技术实施例提供的发光二极管，通过把负电极形成于发光元件的侧面上，有效减少了传统发光元件的遮光面积，并且提高了电流散布效率；同时由于形成于侧面的负电极所需蚀刻掉的发光层较少，从而增加了发光区域，改善了发光元件的发光品质。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光元件
，具体涉及一种发光元件。
技术介绍
图1为现有技术中氮化镓(GaN)发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的结构示意图。如图1所示，该发光二极管包括依次形成于基板10上的η型氮化镓层20、发光层30、P型氮化镓层40以及氧化铟锡(ITO)层90，其中η型氮化镓层20和ρ型氮化镓层40被蚀刻掉一部分而暴露了部分η型氮化镓层20，在该暴露的η型氮化镓层20上形成有负电极82，在ρ型氮化镓层40以及ITO层90上形成有正电极81，并在正电极81、ITO层90、η型氮化镓层20以及负电极82上形成有保护层61。由于蓝宝石(Sapphire)制作的基板10不导电，故电极必须设置在发光二极管的正面，即正电极81形成于ρ型氮化镓层40的正面，负电极82形成于η型氮化镓20的正面。这种结构中，无论发光二极管如何放置，其电流方向都是垂直的。但是在制作负电极82时，必须将发光二极管由P型氮化镓层40的表面蚀刻至η型氮化镓层20，且蚀刻的沟槽必须足够宽，才能通过打线的方式在η型氮化镓层20的表面形成负电极82。这样，原本由发光层30所在的区域构成的发光区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，其特征在于，包括：?基板；?第一导电型半导体层，位于所述基板上；?发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；?第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；?正电极，位于所述第二导电型半导体层的正面；以及?负电极，至少部分位于所述第一导电型半导体层的侧面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴裕朝，刘艳，吴冠伟，王瑞庆，陈浩明，
申请(专利权)人：刘艳，
类型：实用新型
国别省市：