【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有电极过渡层的LED芯片的制造方法，其特征在于，所述具有电极过渡层的LED芯片的制造方法至少包括以下步骤：1）提供一基板，所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层；2）对所述基板进行部分刻蚀，在所述基板中形成一凹陷区域，所述凹陷区域底部到达所述N型半导体层中；3）采用溅射法在所述P型半导体层上形成一ITO透明导电层；然后在所述ITO透明导电层上部分区域形成电极过渡层；所述电极过渡层底部材料为Cr；4）进行退火以使所述电极过渡层底部的Cr与ITO透明导电层中的O结合形成氧化物；5）在所述电极过渡层上形成P电极，在所述凹陷区域的N型半导体层上部分区域形成N电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：袁根如，郝茂盛，陶淳，朱秀山，朱广敏，陈诚，张楠，杨杰，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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