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本发明提供一种具有电极过渡层的LED芯片及其制造方法，所述芯片至少包括基板，所述基板上形成有一底部到达所述N型半导体层中的凹陷区域；所述P型半导体层上形成有采用溅射法形成的ITO透明导电层；所述ITO透明导电层上部分区域形成有底部材料为Cr...
该专利属于上海蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海蓝光科技有限公司授权不得商用。

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