本发明涉及集成电路设计技术领域，具体提供一种存储器双模冗余切换电路，包括看门狗复位单元、分频单元以及逻辑转换单元，看门狗复位单元用于监测外部处理器的启动状态，并产生复位信号，分频单元用于将所述复位信号进行分频后，产生极性相反的两个分频信...

本发明涉及航天产品技术领域，具体涉及一种接口可调式航天产品力学试验装置，包括工装基体且待试验产品连接于工装基体上，工装基体与待试验产品之间包括多个连接面，各连接面上分别设有接口板组件并由接口板组件作为工装基体与待试验产品之间的中间连接载...

本发明涉及光学加工驻留时间解算技术领域，尤其涉及一种矩阵法计算驻留时间的离散形式修正方法，首先获得离散化的待加工工件面形残差、去除函数以及抛光离散化的轨迹的散点，再根据驻留点的影响面积生成修正权重，并根据修正权重对矩阵法中的去除矩阵元素...

本发明涉及视频数据处理技术领域，具体涉及一种基于地址映射的多通道视频数据转换方法，通过前处理模块、DDR读写管理模块和后处理模块对视频数据进行转换，前处理模块利用原始视频数据流中提取的时序信息进行地址映射并完成图像镜像处理，DDR读写管...

本发明涉及水样核酸提取的技术领域，具体涉及一种水样核酸提取装置及水样核酸提取方法；水样核酸提取装置包括进样组件、富集裂解组件、温控振荡组件、纯化保存组件以及流体输送组件，通过配置富集裂解组件以及温控振荡组件，可使得富集和裂解过程在同一个...

本发明公开了一种点胶调整装置，属于点胶调整机构技术领域。该装置包括：Y向位移组件、RZ旋转及Z向位移组件和RY旋转组件，所述Y向位移组件固定在基座上方，所述RZ旋转及Z向位移组件连接在Y向位移组件上方，所述RY旋转组件连接在所述RZ旋转...

本发明涉及采样检测领域，尤其涉及一种2711接收通道采样状态的动态检测方法，包括：动态改变伴随时钟和并行数据的相对相位，对相对相位的采样状态进行检测，动态改变相对相位的方式包括如下两种：第一种：通过MMCM对一个bank内的两个伴随时钟...

本发明公开了一种光纤章动耦合方法、系统、设备及存储介质，其中方法包括：S1：获取初始的章动参数，章动参数包括章动半径、章动步长和采样点数；S2：根据章动参数控制快反镜进行一次章动，记录各个采样点的采样功率，并从所有的采样功率中确认最大功...

本发明涉及光学设备连接装置技术领域，具体涉及一种车载望远镜的运输固定装置，包括旋转机构和角度调节机构，旋转机构和角度调节机构上分别连接有支杆和长度微调机构，支杆与长度微调机构配合连接，旋转机构包括从下至上依次设置的转动组件和俯仰组件，支...

本发明涉及半导体检测技术领域，具体提供一种检测半导体晶片厚度的检测装置，包括底座、夹持部件、输送部件以及检测部件，底座上开设有输送槽，检测部件设置于输送槽上，输送部件设置于输送槽内，多个夹持部件设置于输送部件上。通过夹持部件将半导体晶片...

本发明涉及光学技术领域，具体提供一种线膨胀系数检测装置及方法，能够在高度共光路的情况下，最大程度地消除空气热膨胀与振动对系统的影响，同时也避免了外差激光干涉检测方式造成的非线性周期误差导致影响检测结果，还能够有效扩大线膨胀系数测量系统的...

本发明涉及激光技术领域，具体提供一种光束激发方法和装置，基于光束合束原理，通过结合光栅的色散原理及消色差原理，使得不同波长、不同角度平面波在同一设计焦点位置聚焦，实现圆艾里光束合束，极大地提高了圆艾里光束的能量密度。并且，这种方法支持宽...

本发明涉及光学工程技术领域，具体提供一种真空共光路系统照度定标模拟光源的设计方法以及设计得到的真空共光路系统照度定标模拟光源，包括步骤：S1：建立离轴双反自由曲面照明系统的数学模型；S2：将数学模型中的自由曲面设计问题转化为数学求解问题...

本发明涉及半导体检测技术领域，公开了一种基于半导体晶体管的硅通孔缺陷测试结构，包括：硅衬底、贯穿硅衬底的硅通孔、围绕排列在硅通孔外侧和硅衬底上的MOS晶体管，其中有NMOS晶体管和PMOS间隔分布。本申请还公开了基于上述半导体晶体管的硅...

本发明公开了一种基于图像处理的导航方法、装置、系统及存储介质，该导航方法应用于导航设备，导航设备包括主控设备以及至少一个用于互动的提示装置，主控设备包括两个图像采集装置、两个驱动装置及至少一个距离传感器，距离传感器设于两个图像采集装置之...

本发明涉及光谱技术领域，具体提供一种超分辨光栅光谱仪，包括光栅、0/π相位板、消色差透镜、探测器，由光栅、0/π相位板和消色差透镜构成光谱系统，在可见光入射时，0/π相位板与所述消色差透镜产生宽带超分辨光场，经由光栅偏转的超分辨光场聚焦...

本发明涉及遥感图像处理技术领域，尤其涉及一种基于上下文信息区分利用的遥感图像目标检测方法。包括：S1：获取输入图像，将输入图像依次输入至主干网络和颈部网络进行处理，获得多尺度特征图；S2：构建基于上下文信息区分利用的两阶段目标检测网络，...

本发明涉及半导体光电技术领域，尤其涉及一种原位生长的钙钛矿纳米晶体薄膜及其制备方法。方法包括：S1：将铅卤化物、有机卤化物和有机配体材料按比例溶于第一溶剂中，获得钙钛矿前驱体溶液：S2：将有机小分子或纳米晶材料按比例溶于第二溶剂中，获得...

本发明涉及半导体光电子器件技术领域，具体提供了一种新型垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法，通过在衬底上形成第一DBR、第一电极和第一DBR上形成有源区、有源区上形成第二DBR、第二DBR内形成多个氧化层、位于第二DBR上的调控层，以及...

本发明涉及TDICMOS探测器成像技术领域，尤其涉及一种多谱段TDICMOS的电荷转移方法，包括如下步骤：S1、确定对图像产生干扰的敏感区域；S2、比较每个敏感区域两侧未使用的非敏感区域的宽度，将每个敏感区域中的垂直电荷转移信号的跳变沿...