一种LED晶片结构制造技术

本发明专利技术公开了一种LED晶片结构，包括衬底、LED半导体层、透明导电层、第一透明绝缘层、正电极和负电极；LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层；正电极延伸设置在衬底和LED半导体层的一侧，正电极与P型半导体层的端部、透明导电层的端部直接接触连接，或者仅通过透明导电层的端部直接接触连接，再或者省略掉透明导电层，与P型半导体层的端部直接接触连接；负电极延伸设置在衬底和LED半导体层的另一侧，负电极与LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接。本发明专利技术中的LED晶片结构，正电极、负电极延伸设置在两侧，LED晶片结构的散热性能、导电性能均较好，且封装时不再需要打金线，封装成本较低，封装工序简便。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种LED晶片结构，其特征在于：包括衬底、LED半导体层、透明导电层、第一透明绝缘层、正电极和负电极；所述LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层；所述衬底上依次设置有所述LED半导体层和透明导电层；所述正电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的一侧；所述正电极与所述LED半导体层中的P型半导体层的端部、所述透明导电层的端部直接接触连接，所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层之间；或者，所述正电极与所述透明导电层的端部直接接触连接，所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层、p型半导体层之间；所述负电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的另一侧，所述负电极与所述LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴少红，
申请(专利权)人：深圳市凯信光电有限公司，
类型：发明
国别省市：