【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种发光二极管的制造方法。
技术介绍
半导体发光二极管(LED)是ー种由Ga、N、As、P等的化合物制成的ニ极管，当电子与空穴复合时可以发出可见光，可用于制造发光器件，由于其结构简单，体积小，工作电流小，使用方便，成本低，目前已广泛应用于各种光电系统。半导体发光二极管包括衬底以及依次沉积在衬底上的Ρ/N型外延层、有源层和P/N型外延层。衬底作为LED这座大厦的地基，具有重要的作用。蓝宝石是ー种常用的LED衬底，蓝宝石衬底中一般都会包括各种缺陷，例如位错、间隙或空位等，缺陷会引起晶体应变，应变会造成衬底上外延层的品质及性能降低，导致发光二极管的寿命缩短。 多年来，随着半导体技术的发展，经过本领域技术人员的长期研究和实践，形成了较为完善的晶体生长エ艺流程，減少了半导体衬底材料生长过程中形成的缺陷密度。但是，人们还希望得到缺陷密度更低的衬底，制得性能更佳、寿命更长的发光二极管。如何进ー步減少或消除缺陷成为本领域急需解决的问题。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的缺陷，本专利技术提供了ー种GaN基半导体发光二极管的制造方法，该方法可以明显的减小发光二极管衬...
【技术保护点】
一种GaN基发光二极管，包括依次层叠的衬底、n型接触层、有源层和p型接触层；其特征在于，衬底为蓝宝石衬底，n型接触层为n型AlGaN层，p型接触层为p型GaN层；有源层为AlGaN多量子阱。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：虞浩辉，周宇杭，
申请(专利权)人：江苏威纳德照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。