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本发明公开了一种GaN基发光二极管包括依次层叠的衬底、n型接触层、有源层和p型接触层；其中衬底为蓝宝石衬底，n型接触层为n型AlGaN层，p型接触层为p型GaN层；有源层为AlGaN多量子阱。本发明还公开了一种GaN基发光二极管的制造方法包...
该专利属于江苏威纳德照明科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏威纳德照明科技有限公司授权不得商用。

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