温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种GaN基半导体发光二极管的制造方法，包括形成GaN衬底，以及在GaN衬底上沉积p型接触层、有源层、n型电子阻挡层、n型过渡层和n型接触层；其中形成GaN衬底的方法包括如下步骤：在常温常压下，将GaN晶片放入高温高压装置中；对...
该专利属于江苏威纳德照明科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏威纳德照明科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。