【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成微电子电路，并且更具体地涉及用于故障保护的电子熔断器电路。
技术介绍
1、电子熔断器(e-fuse)可耦接在输入功率源和负载之间以保护负载免受过度状况的影响。由于一些原因，电子熔断器可能比传统熔断器更多用途。电子熔断器可针对宽范围的状况提供保护，所述状况诸如是过电压、过电流、过热和反向极性。电子熔断器可在比传统熔断器更低的阈值水平将负载从电流断开，这可与系统(例如，车辆)必须使用的更小规格的线路相对应。电子熔断器可用于各种保护场景，诸如保护耦接到功率总线的多个器件免受使功率总线短接的负载故障，并且可用于诸如raid存储系统、云服务器系统、车辆系统、电信系统、工业自动化和电机之类的应用中。
技术实现思路
1、在一些方面中，本文中所描述的技术涉及一种电子熔断器，包括：功率晶体管，该功率晶体管耦接在电子熔断器的输入端与输出端之间，功率晶体管能配置在截断状况下，以在输出端处存在短路状况时将输入端与输出端断开；和钳位电路，该钳位电路被配置为响应于短路状况而生成钳位信号，该钳位电路包括：与功率晶体管并联耦接的感测晶体管；二极管接法晶体管，该二极管接法晶体管耦接在电子熔断器的输入端与感测晶体管之间并且与感测晶体管串联耦接，该二极管接法晶体管被配置为在短路状况存在时传导，使得感测晶体管传导感测电流，该感测电流与在短路状况存在时由功率晶体管传导的电流相对应；和触发电路，所述触发电路被配置为基于所述感测电流生成所述钳位信号。
2、在电子熔断器的可能具体实施中，当电子熔断器的输
3、在一些方面中，本文中所描述的技术涉及一种系统，该系统包括：功率源，该功率源被配置为生成输出功率；负载，该负载被配置为基于来自功率源的输出功率进行操作；和电子熔断器，该电子熔断器在输入端处耦接到功率源并且在输出端处耦接到负载，该电子熔断器包括：钳位电路，该钳位电路被配置为响应于输出端处的短路状况而生成钳位信号，该钳位电路包括：二极管接法晶体管，该二极管接法晶体管耦接在输入端与感测晶体管之间并且与感测晶体管串联耦接，该二极管接法晶体管被配置为在短路状况存在时传导，使得感测晶体管传导感测电流，该感测电流与在短路状况存在时由电子熔断器传导的电流相对应；触发电路，所述触发电路被配置为在所述短路状况存在时基于所述感测电流生成所述钳位信号；和控制器，该控制器被配置为控制电子熔断器的功率晶体管以在短路状况存在时抵抗由电子熔断器传导的电流。
4、在系统的可能具体实施中，镜像晶体管和二极管接法晶体管形成电流镜，以在输出端处存在短路状况时，传导与感测电流相对应的镜像电流。镜像电流根据镜像晶体管和二极管接法晶体管之间的大小比率与感测电流相对应。
5、在一些方面中，本文中所描述的技术涉及一种用于控制电子熔断器的方法，该方法包括：在电子熔断器的输入端处接收输入电压；通过功率晶体管将电流从电子熔断器的输入端传导到电子熔断器的输出端；响应于输出端处的短路状况而激活二极管接法晶体管，该短路状况是电子熔断器的输出端处的输出电压比输入电压低二极管接法晶体管的导通电压；在短路状况期间利用已响应于短路状况被激活的二极管接法晶体管将感测晶体管耦接到输入端；当感测晶体管耦接到输入端时，传导感测电流通过感测晶体管；利用电流镜基于感测电流生成镜像电流，该电流镜包括二极管接法晶体管；基于镜像电流生成钳位信号；以及响应于钳位信号将功率晶体管控制在截断状况。
6、在以下具体实施方式及其附图内进一步解释了前述说明性
技术实现思路
，以及本公开的其他示例性目标和/或优点、以及实现方式。
【技术保护点】
1.一种电子熔断器，所述电子熔断器包括：
2.根据权利要求1所述的电子熔断器，其中：
3.根据权利要求2所述的电子熔断器，其中：
4.根据权利要求1所述的电子熔断器，其中所述箝位电路还包括：
5.根据权利要求4所述的电子熔断器，其中所述箝位电路还包括耦接在所述输入端与所述栅极端子之间的齐纳二极管，所述齐纳二极管被配置为保护所述栅极端子免受所述电子熔断器的所述输入端处的高电压的影响。
6.根据权利要求4所述的电子熔断器，其中所述触发电路包括：
7.根据权利要求6所述的电子熔断器，其中：
8.一种系统，所述系统包括：
9.根据权利要求8所述的系统，其中：
10.根据权利要求8所述的系统，其中：
11.一种控制电子熔断器的方法，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中：
【技术特征摘要】
1.一种电子熔断器，所述电子熔断器包括：
2.根据权利要求1所述的电子熔断器，其中：
3.根据权利要求2所述的电子熔断器，其中：
4.根据权利要求1所述的电子熔断器，其中所述箝位电路还包括：
5.根据权利要求4所述的电子熔断器，其中所述箝位电路还包括耦接在所述输入端与所述栅极端子之间的齐纳二极管，所述齐纳二极管被配置为保护所述栅极端子免受所述电子熔断器的所述输...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·弗里泰克，P·罗兹西帕尔，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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