一种不易变形的大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法技术

本发明专利技术涉及氮化铝陶瓷基板的制备技术领域，提供一种8～10英寸、不易变形的大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法，通过采用控制液相和增加成型体密度来减少大尺寸陶瓷基板的变形，制备步骤包括Y3Al5O12助烧结添加剂的制备、流延浆料的制备、流延生坯的制备及陶瓷基片的制备，所述Y3Al5O12助烧结添加剂由Al2O3粉和Y2O3粉经高温煅烧制成，所述煅烧温度为1760～1850℃，所述流延浆料的制备过程中添加有CaF2辅助添加剂，所述流延生坯的制备过程中采用流延成型与等静压成型相结合获得高密度的生坯，所述陶瓷基片的制备采用高温烧结，烧结温度控制在1860～1930℃，烧结时间为1～4h。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术是针对中国专利申请号为201510186617.1，专利申请日为2015年4月20日，专利名称为：一种大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法的分案申请。
本专利技术涉及氮化铝陶瓷基板的制备
，尤其涉及一种不易变形的大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法。
技术介绍
随着大规模集成电路、大功率模块和LED的发展，对所用绝缘基板材料提出了更高的要求，为了进一步提高封装效率、降低成本、扩大适用面，希望在传统4英寸基板的基础上制备出更大尺寸的氮化铝陶瓷基板，比如6英寸、8英寸、甚至10英寸等。为了获得高的热导率，氮化铝陶瓷往往采用1800℃以上的高温液相烧结，高温液相烧结会导致氮化铝陶瓷在烧结过程中产生较大的变形，尤其在采用流延成型制备较薄的基板材料时，这一缺陷更为明显，因此，氮化铝陶瓷基板在制备中往往采用后期打磨的工艺来消除部分的表面不平整现象。在制备大尺寸氮化铝陶瓷基板时，由于其变形更容易发生，因此，对炉膛工作区尺寸、温度均匀性等均提出了更高的要求。本专利技术申请者基于对氮化铝陶瓷液相烧结的理解，认为制备大尺寸氮化铝陶瓷基板的关键是控制其烧结的液相，即在保证液相传质的情况下，尽可能降低液本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种不易变形的大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：包括Y3Al5O12助烧结添加剂的制备、流延浆料的制备、流延生坯的制备及陶瓷基片的制备，所述Y3Al5O12助烧结添加剂由Al2O3粉和Y2O3粉经高温煅烧制成，所述煅烧温度为1760～1850℃，所述流延浆料的制备过程中添加有CaF2辅助添加剂，所述CaF2辅助添加剂的用量为氮化铝粉体重量的0.1～0.5％，所述流延生坯的制备过程中采用流延成型与等静压成型相结合获得高密度的生坯，所述陶瓷基片的制备采用高温烧结，烧结温度控制在1860～1930℃，烧结时间为1～4h；所述流延生坯的制备过程为：将流延浆料经流延成型机，流延得到厚度在0.2...

【技术特征摘要】
1.一种不易变形的大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：包括Y3Al5O12助烧结添加剂的制备、流延浆料的制备、流延生坯的制备及陶瓷基片的制备，所述Y3Al5O12助烧结添加剂由Al2O3粉和Y2O3粉经高温煅烧制成，所述煅烧温度为1760～1850℃，所述流延浆料的制备过程中添加有CaF2辅助添加剂，所述CaF2辅助添加剂的用量为氮化铝粉体重量的0.1～0.5％，所述流延生坯的制备过程中采用流延成型与等静压成型相结合获得高密度的生坯，所述陶瓷基片的制备采用高温烧结，烧结温度控制在1860～1930℃，烧结时间为1～4h；所述流延生坯的制备过程为：将流延浆料经流延成型机，流延得到厚度在0.2～0.5mm之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨大胜，施纯锡，
申请(专利权)人：福建华清电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35