【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子封装
，尤其涉及一种氮化铝多层陶瓷无引线片式载体封装外壳。
技术介绍
随着电子整机和电子元器件朝着微型、轻量、高速、高效、高集成度、高可靠性和大功率输出等方向快速发展，器件单位体积内所产生的热量急剧增加，这对基片和封装材料的散热提出了更高要求。如果热量不能由基板及时散发出去，器件将难以正常工作，严重情况下，甚至会烧毁。国内的高密度、高功率封装主要采用氧化铝陶瓷材料、金属材料、氧化铝陶瓷和高导热材料（钨铜、钼铜及CPC等）、LTCC基板材料和氧化铝陶瓷以及LTCC基板材料和金属材料，目前还没有基于氮化铝技术的多层陶瓷外壳。Al2O3的热导率较低，热膨胀系数和硅不太匹配；虽然金属材料有较高的导热系数，但与芯片衬底较高的热膨胀系数失配难以满足大功率器件的封装要求，且采用金属材料的外壳集成度较低；氧化铝陶瓷和高导热材料（钨铜、钼铜及CPC等）虽然具有较高的导热性能，但由于要使其具有较高的机械性能，就必须保证管壳与高导热材料具有一定的焊接搭接尺寸，才能实现管壳与高导热材料的焊接可靠性，这就限制了其尺寸的小型化，且采用高导热材料的外壳集成度较低，故该种模...
【技术保护点】
一种氮化铝多层陶瓷无引线片式载体封装外壳，包括陶瓷外壳（5），陶瓷外壳（5）四周的外侧壁上设有金属导通槽（1），其特征在于，陶瓷外壳（5）为氮化铝材料制成，陶瓷外壳（5）包括正面向上开口的上腔体（7）和反面向下开口的下腔体（6），中间为基板，在基板的下表面和上表面均设有用于粘接芯片或无源器件的粘接区（3），粘接区（3）的外周设有引线键合区（2），引线键合区（2）能与粘接在粘接区（3）上的芯片通过键合丝连接，引线键合区（2）与金属导通槽（1）连接；引线键合区（2）外周设有密封区（4），在陶瓷外壳（5）的下表面的密封区（4）的外周设有引出端焊盘（8），引出端焊盘（8）与金属导通槽（1）连通。
【技术特征摘要】
1.一种氮化铝多层陶瓷无引线片式载体封装外壳，包括陶瓷外壳（5），陶瓷外壳（5）四周的外侧壁上设有金属导通槽（1），其特征在于，陶瓷外壳（5）为氮化铝材料制成，陶瓷外壳（5）包括正面向上开口的上腔体（7）和反面向下开口的下腔体（6），中间为基板，在基板的下表面和上表面均设有用于粘接芯片或无源器件的粘接区（3），粘接区（3）的外周设有引线键合区（2），引线键合区（2）能与粘接在粘接区（3）上的芯片通过键合丝连接，引线键合区（2）与金属导通槽（1）连接；引线键合区（2）外周设有密封区（4），在陶瓷外壳（5）的下表面的密封区（4）的外周设有引出端焊盘（8），引出端焊盘（8）与金属导通槽（1）连通。2.根据权利要求1所述的一种氮化铝多层陶瓷无引线片式载体封装外壳，其特征在于，金属导通槽（1）的横断面为半圆形，在相对的...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨振涛，彭博，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：新型
国别省市：河北;13
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