一种采用自蔓延粉体制备高导热氮化铝陶瓷的方法技术

本发明专利技术涉及氮化铝陶瓷基板的制备领域，提供一种采用自蔓延粉体制备高导热氮化铝陶瓷的方法，采用该方法获得的氮化铝陶瓷基板热导率大于160W/m×K，传热性能高，可满足大功率LED的封装要求，包括自蔓延粉体的预先热处理、流延浆料的配制、流延生坯的制备及陶瓷基片的制备，所述自蔓延粉体的预先热处理步骤包括将自蔓延氮化铝粉体在高温石墨炉中进行热处理，所述流延浆料的配制中包括烧结添加剂的配制，所述烧结添加剂为Y2O3和TiO2组合物，所述Y2O3添加量为3～8wt%，TiO2添加量为0.5～1wt%，所述陶瓷基片的制备采用高温无压烧结。

【技术实现步骤摘要】
一种采用自蔓延粉体制备高导热氮化铝陶瓷的方法
本专利技术涉及氮化铝陶瓷基板的制备领域，尤其涉及一种采用自蔓延粉体制备高导热氮化铝陶瓷的方法。
技术介绍
随着大功率LED的发展，对所用绝缘基板材料提出了更高的要求，传统采用的氧化铝陶瓷基板由于热导率低，越来越难以胜任大功率小型化的封装要求。氮化铝陶瓷材料由于具有较高的热导率，在大功率LED封装中有着独特的优势。然而，由于目前用于制备氮化铝陶瓷基板的原料粉体通常为进口氮化铝粉体，以直接氮化法（东洋铝业）和碳热还原法（德山曹达）为主，而国产氮化铝粉体往往采用自蔓延高温合成方法制备，因此，将自蔓延高温合成氮化铝粉体烧结成高导热的氮化铝陶瓷，从而满足大功率LED的应用，对实现氮化铝陶瓷生产完全国产化，进一步扩大其应用空间有着重要的意义。然而，由于自蔓延高温合成氮化铝粉体往往采用球形铝粉来制备，升降温速度快，反应时间短，因此，氧含量通常较高，颗粒尺寸较大，表面缺陷较多，使得其烧结性能和热导性能均偏低，因此，长期以来，难以形成规模应用。在高热导氮化铝陶瓷的制备过程中，一个重要的思路就是采用长时间的烧结方法来使氮化铝陶瓷中的YAG第二相转变成YAM相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用自蔓延粉体制备高导热氮化铝陶瓷的方法，其特征在于：包括自蔓延粉体的预先热处理、流延浆料的配制、流延生坯的制备及陶瓷基片的制备，所述自蔓延粉体的预先热处理步骤包括将自蔓延氮化铝粉体在高温石墨炉中进行热处理，所述流延浆料的配制中包括烧结添加剂的配制，所述烧结添加剂为Y2O3和TiO 2组合物，所述Y2O3添加量为3～8wt%，TiO 2添加量为0.5～1wt%，所述陶瓷基片的制备采用高温无压烧结。

【技术特征摘要】
1.一种采用自蔓延粉体制备高导热氮化铝陶瓷的方法，其特征在于：包括自蔓延粉体的预先热处理、流延浆料的配制、流延生坯的制备及陶瓷基片的制备，所述自蔓延粉体的预先热处理步骤包括将自蔓延氮化铝粉体在高温石墨炉中进行热处理，所述流延浆料的配制中包括烧结添加剂的配制，所述烧结添加剂为Y2O3和TiO2组合物，所述Y2O3添加量为3～8wt%，TiO2添加量为0.5～1wt%，所述陶瓷基片的制备采用高温无压烧结。2.根据权利要求1所述的采用自蔓延粉体制备高导热氮化铝陶瓷的方法，其特征在于：所述自蔓延粉体的预先热处理温度为1600～1700℃，处理时间为1～4h。3.根据权利要求2所述的采用自蔓延粉体制备高导热氮化铝陶瓷的方法，其特征在于：所述自蔓延粉体的预先热处理温度为1650℃，处理时间为2h。4.根据权利要求1或2或3所述的采用自蔓延粉体制备高导热氮化铝陶瓷的方法，其特征在于：所述陶瓷基片的制备过程中烧结温度为1830～1890℃，烧结时间为8～12h。5.根据权利要求4所述的采用自蔓延粉体制备高导热氮化铝陶瓷的方法，其特征在于：所述陶瓷基片的制备过程中烧结温度为1870℃，烧结时间为8h。6.根据权利要求1所述的采用自蔓延粉体制备高导热氮化铝...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨大胜，施纯锡，
申请(专利权)人：福建华清电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35