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本发明涉及氮化铝陶瓷基板的制备领域，提供一种采用自蔓延粉体制备高导热氮化铝陶瓷的方法，采用该方法获得的氮化铝陶瓷基板热导率大于160W/m×K，传热性能高，可满足大功率LED的封装要求，包括自蔓延粉体的预先热处理、流延浆料的配制、流延生坯的...
该专利属于福建华清电子材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建华清电子材料科技有限公司授权不得商用。

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