本发明专利技术公开了一种超低介电常数微波介电陶瓷Li2SiAl3N5及其制备方法。（1）将纯度为99.9%（重量百分比）以上的Li3N、Si3N4和AlN的原始粉末按Li2SiAl3N5的组成称量配料；（2）将步骤（1）原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为无水乙醇，烘干后在1200℃氮气气氛中预烧6小时；（3）在步骤（2）制得的粉末再压制成型，最后在1300~1350℃氮气气氛中烧结8小时。本发明专利技术制备的陶瓷在烧结良好，介电常数达到5.7～6.3，其品质因数Qf值高达140000-172000GHz，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。
【技术实现步骤摘要】
超低介电常数微波介电陶瓷L i 2S i A13N5
本专利技术涉及介电陶瓷材料，特别是涉及用于制造微波频率使用的陶瓷基板、谐振 器与滤波器等微波元器件的介电陶瓷材料。
技术介绍
微波介电陶瓷是指应用于微波频段(主要是UHF和SHF频段)电路中作为介质材料 并完成一种或多种功能的陶瓷，在现代通讯中被广泛用作谐振器、滤波器、介质基片和介质 导波回路等元器件，是现代通信技术的关键基础材料，已在便携式移动电话、汽车电话、无 绳电话、电视卫星接受器和军事雷达等方面有着十分重要的应用，在现代通讯工具的小型 化、集成化过程中正发挥着越来越大的作用。 应用于微波频段的介电陶瓷，应满足如下介电特性的要求：（1)系列化介电常数 ε ^以适应不同频率及不同应用场合的要求；（2)高的品质因数Q值或介质损耗tan δ以 降低噪音，一般要求Qf彡3000 GHz; (3)谐振频率的温度系数^尽可能小以保证器件具 有好的热稳定性，一般要求-10 ppm /°C< τ，<+]_〇 ppm/°c。国际上从20世纪30年代 末就有人尝试将电介质材料应用于微波技术，并制备出TiO2微波介质滤波器，但其谐振频 率温度系数^太大而无法实用化。上世纪70年代以来，开始了大规模的对介质陶瓷材料 的开发工作，根据相对介电常数L的大小与使用频段的不同，通常可将已被开发和正在 开发的微波介质陶瓷分为4类。 (1)超低介电常数微波介电陶瓷，主要代表是Al203-Ti0 2、Y2BaCu05、MgAl2O4和 Mg2SiO4等，其20,品质因数QXf 3 50000GHz，10 ppm/° C。主要用于微波基 板以及高端微波元器件。 (2)低ε r和高Q值的微波介电陶瓷，主要是BaO-MgO-Ta2O5, BaO-ZnO-Ta2O5或 BaO-MgO-Nb2O5, BaO-ZnO-Nb2O5系统或它们之间的复合系统MWDC材料。其ε ^20?35， Q=(l?2) X 104(在f彡10 GHz下），τ , ^ 〇。主要应用于f彡8 GHz的卫星直播等微波 通信机中作为介质谐振器件。 (3)中等L和Q值的微波介电陶瓷，主要是以BaTi409、Ba2Ti 9O2tl和（Zr、Sn) TiO4 等为基的MWDC材料，其= 35?45, Q= (6?9) XlO3 (在f=3?一4GHz下)，5 ppm/° C。主要用于4?8 GHz频率范围内的微波军用雷达及通信系统中作为介质谐振器 件。 (4)高L而Q值较低的微波介电陶瓷，主要用于0.8?4GHz频率范围内民用移 动通讯系统，这也是微波介电陶瓷研究的重点。80年代以来，Kolar、Kato等人相继发现并 研究了类钙钛矿钨青铜型BaO - Ln2O3 - TiO2系列（Ln=La、Sm、Nd或Pr等，简称BLT系）、 复合f丐钦矿结构CaO -Li2O一Ln2O3一TiO2系列、铅基系列材料、CahLn 2xjZ3TiO3系等商ε ^微 波介电陶瓷，其中BLT体系的BaO - Nd2O3 - TiO2材料介电常数达到90,铅基系列（Pb, Ca) ZrO3介电常数达到105。 由于微波介电陶瓷的三个性能指标（ε ^与Q 和τ p之间是相互制约的关系(见 文献：微波介质陶瓷材料介电性能间的制约关系，朱建华，梁飞，汪小红，吕文中，电子元 件与材料，2005年3月第3期)，满足三个性能要求且可低温烧结的单相微波介质陶瓷非常 少，主要是它们的谐振频率温度系数通常过大或者品质因数偏低而无法实际应用要求。目 前对微波介质陶瓷的研究大部分是通过大量实验而得出的经验总结，却没有完整的理论 来阐述微观结构与介电性能的关系，因此，在理论上还无法从化合物的组成与结构上预测 其谐振频率温度系数和品质因数等微波介电性能，这在很大程度上限制了微波介质陶瓷与 器件的发展。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有良好的热稳定性与低损耗的超低介电常数微波介 电陶瓷材料。 本专利技术的微波介电陶瓷材料的化学组成为Li2SiAl3N 5。 本微波介电陶瓷材料的制备方法步骤为： (1)将纯度为99. 9% (重量百分比）以上的Li3N、Si3N4和AlN的原始粉末按Li 2SiAl3N5 的组成称量配料。 (2)将步骤（1)原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为无水乙醇，烘干后在1200°C 氮气气氛中预烧6小时。 (3)在步骤（2)制得的粉末再压制成型，最后在130(Tl350°C氮气气氛中烧结8小 时。 本专利技术的优点=Li2SiAl3N5陶瓷介电常数达到5. 7?6. 3,其谐振频率的温度系数 ^小，温度稳定性好；品质因数Qf值高达140000-172000GHZ，可广泛用于各种介质基板、 谐振器和滤波器等微波器件的制造，可满足低温共烧技术及微波多层器件的技术需要，在 工业上有着极大的应用价值。 【具体实施方式】 实施例： 表1示出了构成本专利技术的不同烧结温度的3个具体实施例及其微波介电性能。其制备 方法如上所述，用圆柱介质谐振器法进行微波介电性能的评价。 本陶瓷可广泛用于各种介质基板、谐振器和滤波器等微波器件的制造，可满足移 动通信和卫星通信等系统的技术需要。 表 1 :本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种温度稳定型超低介电常数氮化物微波介电陶瓷，其特征在于所述微波介电陶瓷的化学组成为：Li2SiAl3N5；所述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为：（1）将纯度为99.9%（重量百分比）以上的的Li3N、Si3N4和AlN的原始粉末按Li2SiAl3N5的组成称量配料；（2）将步骤（1）原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为无水乙醇，烘干后在1200℃氮气气氛中预烧6小时；（3）在步骤（2）制得的粉末再压制成型，最后在1300~1350℃氮气气氛中烧结8小时。
【技术特征摘要】
1. 一种温度稳定型超低介电常数氮化物微波介电陶瓷，其特征在于所述微波介电陶瓷 的化学组成为Ii2SiAl3N5 ; 所述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为： (1) 将纯度为99. 9%(重量百分比）以上的的Li3N、Si3N4和AlN的原始粉末...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭欢欢，李纯纯，苏和平，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西;45
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