一种低介电常数低密度的微波介质陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低介电常数、低密度的微波介质陶瓷材料及其制备方法。该微波介质陶瓷材料的化学组成式为：CaMgSiO4。(1)以CaCO3、MgO和SiO2高纯粉体为原料，按CaMgSiO4的化学计量比进行称料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合4h，干燥后在1225℃下预烧4h；(3)将预烧后的粉体进行湿式球磨后添加5wt％聚乙烯醇进行造粒并压制成型，最后将坯体排胶后烧结，从而获得较低的介电常数(εr)，较低的密度，较高的Q×f值以及谐振频率温度系数(τf)稳定的微波介质材料。

Microwave dielectric ceramic material with low dielectric constant and low density and preparation method thereof

The invention discloses a microwave dielectric ceramic material with low dielectric constant and low density and a preparation method thereof. The chemical composition of the microwave dielectric ceramic material is: CaMgSiO4. (1) CaCO3, MgO and SiO2 in high purity powder as raw material, according to the stoichiometric ratio of CaMgSiO4 of said material; (2) the step (1) raw materials of wet milling mixed 4h, after drying at 1225 DEG C pre sintering 4H; (3) the powder sintering of wet milling add 5wt% into polyvinyl alcohol granulation and compression molding, finally the billet deglue after sintering, resulting in low dielectric constant (R), lower density, higher Q * f value and temperature coefficient of resonant frequency (f) microwave dielectric material stability.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子陶瓷及其制造领域，涉及在微波频段使用的谐振器、滤波器、介质天线、介质导波回路等微波元器件的介质陶瓷材料的制备方法。
技术介绍
微波介质陶瓷是指应用于微波频段(主要是300MHz～30GHz频段)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷,是现代通信广泛使用的谐振器、滤波器、介质天线、介质导波回路等微波元器件的关键材料。近年来，随着移动通信、卫星通信、全球卫星定位系统(GPS)、蓝牙技术以及无线局域网(WLA)等现代通信技术的飞速发展，微波技术也向着低成本化、高频化以及轻量化方向的发展，这要求微波介质材料除了具有优良的微波介电性能(高的Q×f值，较低的介电常数、近零的τf值)，还必须具有低的生产成本和低的密度。为了满足上述要求，本专利技术专利提供了一种微波介电性能优异，制备工艺简单、密度低、成本低的新型微波介质陶瓷材料。该材料具有较低的密度(ρ＝2.866～2.973g/cm3)，较低的介电常数(εr＝6.3～7.2)，较高的Q×f值(23,626～62,494GHz)以及稳定的谐振频率温度系数(τf为-62.9ppm/℃)，烧结温度处于1300～1425℃，具有很大的商业应用前景。
技术实现思路
本专利技术通过合成CaMgSiO4，从而获得一种低介电常数低密度以及性能优异的微波介质陶瓷材料。本专利技术涉及的微波介质陶瓷材料的化学组成式为：CaMgSiO4。微波介质陶瓷材料的制备方法具体步骤为：(1)以纯度≥99％的高纯粉CaCO3、MgO和SiO2为原料按CaMgSiO4的化学计量比进行称料；之后，按照粉体、氧化锆球与无水乙醇质量比为1：2：1的比例向粉体中依次加入氧化锆球和无水乙醇，球磨4小时，磨细后在100～120℃下快速烘干，并对烘干后的粉体进行过筛处理，过筛后的粉体压制成圆柱体；将圆柱体放在氧化铝坩埚内进行预烧，预烧温度为1225℃，保温时间为4h，升温速率为5℃/min；(2)将步骤(1)中预烧后得到的圆柱体在研磨中进行初步粉碎得粉体；之后，按照粉体、氧化锆球与无水乙醇质量比为1：2：1的比例依次放入到尼龙罐中球磨4小时后取出，放入烘炉内在100～120℃下烘干；烘干后的粉体加入5wt％聚乙烯醇进行造粒，之后将粉体压制成直径为12mm厚度为6mm的小圆柱，将小圆柱置于马弗炉中以1℃/min的升温速率加热至550℃并在此温度排胶4小时，将排完胶的小圆柱在1300～1425℃下烧结4小时即得到微波介质陶瓷材料。本专利技术制备的微波介质陶瓷，其密度较小，微波介电性能优异：较低的介电常数(εr)、较高的Q×f值以及稳定的谐振频率温度系数(τf)；其中，CaMgSiO4在烧结温度1350℃下具有优良的微波性能(ρ～2.973g/cm3，证明了该材料陶瓷具有低密度，εr～7.1，Q×f～62494GHz，τf～-62.9ppm/℃)，并且在烧结温度为1325～1425℃的范围内都保持有良好的微波性能，具有很大的商业应用前景。具体实施方式实施例:表1列出了构成本专利技术的6个具体实施例及其微波介电性能。其制备方法如上所述，用圆柱介质谐振器法进行微波介电性能的评价。本陶瓷可广泛用于各种介质基板、天线和滤波器等微波电子元器件的制造，满足现代移动通信系统的技术需要。表1：本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低介电常数低密度的微波介质陶瓷材料，其特征在于该微波介质陶瓷材料的化学组成式为：CaMgSiO4；所述微波介质陶瓷材料的制备方法具体步骤为：(1)以纯度≥99％的高纯粉CaCO3、MgO和SiO2为原料按CaMgSiO4的化学计量比进行称料；之后，按照粉体、氧化锆球与无水乙醇质量比为1：2：1的比例向粉体中依次加入氧化锆球和无水乙醇，球磨4小时，磨细后在100～120℃下快速烘干，并对烘干后的粉体进行过筛处理，过筛后的粉体压制成圆柱体；将圆柱体放在氧化铝坩埚内进行预烧，预烧温度为1225℃，保温时间为4h，升温速率为5℃/min；(2)将步骤(1)中预烧后得到的圆柱体在研磨中进行初步粉碎得粉体；之后，按照粉体、氧化锆球与无水乙醇质量比为1：2：1的比例依次放入到尼龙罐中球磨4小时后取出，放入烘炉内在100～120℃下烘干；烘干后的粉体加入5wt％聚乙烯醇进行造粒，之后将粉体压制成直径为12mm厚度为6mm的小圆柱，将小圆柱置于马弗炉中以1℃/min的升温速率加热至550℃并在此温度排胶4小时，将排完胶的小圆柱在1300～1425℃下烧结4小时即得到微波介质陶瓷材料。

【技术特征摘要】
1.一种低介电常数低密度的微波介质陶瓷材料，其特征在于该微波介质陶瓷材料的化学组成式为：CaMgSiO4；所述微波介质陶瓷材料的制备方法具体步骤为：(1)以纯度≥99％的高纯粉CaCO3、MgO和SiO2为原料按CaMgSiO4的化学计量比进行称料；之后，按照粉体、氧化锆球与无水乙醇质量比为1：2：1的比例向粉体中依次加入氧化锆球和无水乙醇，球磨4小时，磨细后在100～120℃下快速烘干，并对烘干后的粉体进行过筛处理，过筛后的粉体压制成圆柱体；将圆柱体放在氧化铝坩埚内进行预烧，预烧温度为12...

【专利技术属性】
技术研发人员：周焕福，黄瑾，陈秀丽，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西;45