【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种，其创新点在于：氮化铝和氧化铝复合粉体经过等离子体活化煅烧后、加入助烧剂、有机混合溶剂和其他辅助溶剂进行球磨，经过真空除泡后流延成型，流延生坯经预烧结和烧结步骤得到氮化铝陶瓷基片。本专利技术采用氧化铝和氮化铝的复合粉末为原料，经过等离子煅烧，改变粉末表面状态，提高粉末表面原子活性和原子的扩散能力，有助于加速烧结过程，降低烧结温度；烧结过程中在还原性气氛中烧结，通过还原反应形成新生态原子，从而加速烧结过程，节约生产成本，适合工业化生产。【专利说明】
本专利技术涉及一种制备氮化铝陶瓷基片的方法，具体涉及一种。
技术介绍
氮化铝是一种综合性能优良新型陶瓷材料，具有优良的热传导性，可靠的电绝缘性，低的介电常数和介电损耗，无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良特性，被认为是新一代高集程度半导体基片和电子器件封装的理想材料。氮化铝基片可用于混合集成电路、半导体功率器件、电力电子器件、光电器件、半导体制冷堆、微波器件等领域，作为基板和封装材料。氮化铝基片克服了氧化铍、氧化铝基片由于线膨胀系数与Si不匹配而造成的基片与Si片之间的热失配...
【技术保护点】
采用复合粉末粒型制备氮化铝陶瓷基片的方法，其特征在于：氮化铝和氧化铝复合粉体经过等离子体活化煅烧后、加入助烧剂、有机混合溶剂和其他辅助溶剂进行球磨，经过真空除泡后流延成型，流延生坯经预烧结和烧结步骤得到氮化铝陶瓷基片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：颜建军，何竟宇，马立斌，张志涛，
申请(专利权)人：莱鼎电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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