一种氮化铝陶瓷电路板及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种氮化铝陶瓷电路板及制备方法，其氮化铝陶瓷电路板包括：表面覆盖有激光烧结的金属导电层的陶瓷基板，和利用化学刻蚀方法进行制备的电路。其氮化铝陶瓷电路板制备方法，包括：根据氮化铝陶瓷片尺寸，绘制出需要金属化区域；对氮化铝陶瓷片进行激光烧结，激光扫描烧结结束，氮化铝陶瓷片表面全部金属化；对氮化铝覆铜板进行化学刻蚀，最终得到电路板；将上述电路板进行抛光，丝印文字后进行热固化。本发明专利技术的陶瓷基板与金属导电层之间不含有传统金属化方法所含有的低导热、绝缘玻璃相，从而保证了陶瓷电路板的导热性和金属层的导电性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子电工
，具体说是一种氮化铝陶瓷电路板及制备方法。
技术介绍
氮化铝AlN陶瓷是一种综合性能优良的电子封装材料，它具有很高的热导率，可靠的电绝缘性，低的介电常数和介电损耗以及无毒等优良特性，被广泛应用大功率LED，混合集成电路HIC和多芯片模块MCM等。人们预计，在基片和封装两大领域，AlN陶瓷最终将取代目前的Al2O3和BeO陶瓷。然而，氮化铝AlN陶瓷基板用于微电子器件封装时，需要先将其金属化处理。现行的金属化方法中，由于金属化层中含有大量的陶瓷相、玻璃相及有机物粘合剂，加工后，玻璃层或反应层处于金属与陶瓷层之间，其中玻璃层浸润陶瓷基片，形成镶嵌机械交联结构，反应层则形成中间相，他们都起到连接金属层与陶瓷基板的作用。由于玻璃层和反应层低导热材料的存在，大大降低了金属化后陶瓷基片整体器件的热导率。另外，由于玻璃相和陶瓷相弥散分布在金属层中，也会大大降低金属层的导电性和焊接性。因此，无中间玻璃层、反应层具有良好导热性、焊接性的氮化铝AlN陶瓷金属化基板一直是国际上的难题。目前我国使用的氮化铝AlN陶瓷金属化基板主要依靠进口，厚膜工艺中，不含玻璃相、陶瓷相添加剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化铝陶瓷电路板，其特征在于，包括：表面覆盖有激光烧结的金属导电层的陶瓷基板，和利用化学刻蚀方法进行制备的电路。

【技术特征摘要】
1.一种氮化铝陶瓷电路板，其特征在于，包括：表面覆盖有激光烧结的金属导电层的陶瓷基板，和利用化学刻蚀方法进行制备的电路。2.根据权利要求1所述一种氮化铝陶瓷电路板，其特征在于，陶瓷基板表面完全覆盖上激光烧结的均匀同种金属导电层。3.根据权利要求1所述一种氮化铝陶瓷电路板，其特征在于，化学刻蚀方法，包括光刻蚀法、热转印法。4.一种氮化铝陶瓷电路板的制备方法，其特征在于，包括：S1:根据氮化铝陶瓷片尺寸，绘制出需要金属化区域；S2:在氮化铝陶瓷片表面涂覆一层金属粉末；S3：然后进行激光烧结，激光扫描烧结结束，陶瓷表面全部金属化；S4:对氮化铝覆金属板进行化学刻蚀，最终得到电路板；S5:将上述电路板进行抛光，丝印文字后进行热固化。5.根据权利要求4所述一种氮化铝陶瓷电路板的制备方法，其特征在于，步骤S3中是采用热转印法或光刻蚀法对氮化铝覆金属板进行化学刻蚀。6.根据权利要求5所述一种氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：惠宇，孙旭东，毕孝国，刘旭东，
申请(专利权)人：大连大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21