【技术实现步骤摘要】
本专利技术为半导体集成电路制造工艺
，具体为一种改进超大规模集成电路CMOS制造技术中改进热载流子效应的工艺集成方法。
技术介绍
在超大规模集成电路CMOS制造工艺中，晶体管的热载流子效应将影响器件的可靠性，降低器件及产品工作的寿命。主要表现为，当晶体管沟道区漏端电场达到一定强度时，沟道载流子会被激发到漏端栅氧化层中。载流子将被存在于栅氧化层中的界面陷阱捕获，从而使晶体管特性发生漂移，包括晶体管开启电压(Vt)，饱和驱动电流(Ion)及跨导(gm)等。考虑到电子迁移率约是空穴的三倍， NMOS晶体管的热载流子效应更为显著。随着电子被激发到漏端栅氧化层中，NMOS晶体管Vt将提高，驱动能力降低。为减小这一效应，人们围绕减小漏端电场提出许多改进工艺，主要集中于源漏结的改进，如采用轻掺杂源漏(LDD)等。这一改进将有效降低沟道区漏端电场，减少被激发的载流子，从而改善热载流子效应。但这些改进并不涉及减少载流子在氧化层中捕获几率，即，如何有效降低栅氧化层中的界面态(主要为界面陷阱)。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种通过降低栅氧化层中界面捕获陷阱，从而降低...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超大规模集成电路CMOS制造中改进热载流子效应的工艺集成方法，其特征是在栅氧化工艺前增加热氧化工艺，生长一氧化层，再用湿法腐蚀的方法将氧化层去除；在晶体管栅多晶图定义完成之后，进行热氧化工艺，生长一氧化层，该氧化层在晶体管漏源工艺前不被去除。2.根据权利要求1所述的工艺集成方法，其特征是栅氧化工艺前的热氧化的氧化模式为干氧或湿氧氧化。3.根据权利要求1所述的工艺集成方法，其特征是热氧化的氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：王炜，
申请(专利权)人：上海华虹集团有限公司，上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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