半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术揭示了一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法，包括提供具有虚设栅极的衬底；在所述衬底中虚设栅极两侧形成源漏区域，所述源漏区域掺杂有氘；去除所述虚设栅极，并在所述虚设栅极处形成包括有栅氧化层的栅极结构，所述氘进入所述栅氧化层中。由此获得的半导体结构，由于使得氘进入栅氧化层中，从而在栅氧化层的界面处形成了稳定的共价键，有效改善了悬空键存在的问题；此外，能够提高器件在面对热载流子效应时的恢复能力，降低了热载流子效应对器件性能的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
目前，半导体制造技术已经得到了快速的发展。如图1-6示出了现有技术中的一种常见的MOS形成过程。包括：如图1所示，在衬底上1形成栅极结构2；如图2-图4所述，在衬底1上沉积保护层3，覆盖所述栅极结构2；进行反应离子刻蚀，去除部分保护层3，且使得保护层3位于栅极结构2两侧处产生倾斜；进一步去除保护层3位于衬底1上的部分，形成栅极侧墙4；如图5所示，在衬底1上栅极2两侧外延生成源漏极5，并进行原位掺杂；如图6所示，进行退火工艺，使得掺杂离子进入衬底1中，形成扩散层6。但是，包括但不限于经由上述步骤形成的半导体结构，其内部会形成悬空键(danglingbonds)，这些悬空键主要发生在表面或层间界面，从而会产生孔洞，错位、以及引入其他杂志等不良状况。此外，在目前的MOS制造过程中，出现的另一个问题是热载流子效应对器件性能的影响。特别关注在较小尺寸的器件中，当其在较高的电压下使用时，沟道(channel)的载流子由于具备了足够的能量，从而会进入绝缘层中，从而影响了器件的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，包括：提供具有虚设栅极的衬底；在所述衬底中虚设栅极两侧形成源漏区域，所述源漏区域掺杂有氘；去除所述虚设栅极，并在所述虚设栅极处形成包括有栅氧化层的栅极结构，所述氘进入所述栅氧化层中。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，包括：提供具有虚设栅极的衬底；在所述衬底中虚设栅极两侧形成源漏区域，所述源漏区域掺杂有氘；去除所述虚设栅极，并在所述虚设栅极处形成包括有栅氧化层的栅极结构，所述氘进入所述栅氧化层中。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底中虚设栅极两侧形成源漏区域，所述源漏区域掺杂有氘这一步骤包括：刻蚀所述衬底位于虚设栅极两侧的区域形成沟槽；利用均匀气相外延沉积工艺在所述沟槽中形成掺杂有氘的源漏区域。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沟槽为Σ状沟槽或U状沟槽，所述源漏区域包括硅锗外延层或者硅碳外延层，所述氘掺杂于所述硅锗外延层或者硅碳外延层中。4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述均匀气相外延沉积工艺包括利用第一源气及第二源气形成所述掺杂有氘的源漏区域。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖德元，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31