解决湿法剥离氮化硅薄膜新的清洗溶液制造技术

一种集成电路工艺制造中用的清洗溶液，其特征是：该清洗溶液由氨水、双氧水、超纯水、四甲基氢氧化胺和络合试剂ＣＤＴＡ组成，其中氨水、双氧水和超纯水的体积比为１∶（２－４）∶（２０－４０），四甲基氢氧化胺（２．３８％）含量为总重量的（０．２－０．０４）％，ＣＤＴＡ含量为５－１００ｐｐｍ。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路(IC)制造工艺
，具体涉及一种新的清洗溶液配方解决氮化硅湿法剥离存在问题的方法。
技术介绍
集成电路的器件性能、可靠性和硅电路产品成品率受到残留在硅片或器件表面化学试剂杂质和颗粒杂质严重影响。由于半导体表面和亚微米尺寸器件特征极端敏感性，硅片初始清洗、氧化和形成图形后清洗有效技术甚至比之前清洗显得更加重要。因此，超清洁硅片表面制备在超大规模集成电路(VLSI)硅电路生产中，例如64-和256M DRAM器件，已经成为关键技术之一。“超清洁”可以定义为硅表面化学杂质和颗粒浓度之术语，特别强调的是，一般说来总金属杂质应该小于1010原子/cm2；大于0.1微米颗粒，应该少于0.1/cm2，也就是说对直径为200mm硅片少于31个颗粒。事实上这些非常低杂质数量令人难以想象的！而这些严格规范正是基于以下事实整个器件质量，如上所述，严重受微量杂质影响。在先进硅集成电路制造过程中数百个工艺步骤每一步都可能引起沾污。例如对于64和256MDRAM或等同集成密度电路在整个生产制造过程中，清洗工序大约有60至75步清洗，约占总的制造工艺步骤的15％。硅片表面上的有机、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路工艺制造中用的清洗溶液，其特征是该清洗溶液由氨水、双氧水、超纯水、四甲基氢氧化胺和络合试剂CDTA组成，其中氨水、双氧水和超纯水的体积比为1∶(2-4)∶(20-40)，四甲基氢氧化胺(2.38％)含量为总重量的(0.2-0.04)％，CDTA含量为5-100...

【专利技术属性】
技术研发人员：王刘坤，
申请(专利权)人：上海华虹集团有限公司，上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：