闪烁存储器控制栅堆积结构的侧壁形成工艺制造技术

一种闪烁存储器控制栅堆积结构的侧壁形成工艺，其特征是：侧壁介质淀积为由氧化膜和氮化硅膜构成的双层介质结构，具体步骤是在控制栅堆积结构形成后：　　　　（１）进行典型ＲＣＡ两步预清洗；　　　　（２）采用硅烷－Ｎ↓［２］Ｏ气体源进行ＬＰＣＶＤ侧壁氧化膜ＳｉＯ↓［２］淀积；　　　　（３）采用二氯二氢硅－氨气体源进行ＬＰＣＶＤ侧壁氮化硅膜Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］淀积；　　　　（４）进行侧壁回刻蚀氮化硅膜。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路(IC)制造工艺
，具体涉及一种用于制造闪烁存储器控制栅堆结构的侧壁形成工艺。
技术介绍
存储器不仅应用于各种类型电子数字计算机，成为计算机的主要组成部分之一，也广泛地应用于其他电子
长期以来，数字计算机用磁芯作为存储单元。随着计算技术的发展，在性能和生产效率等方面磁芯已经不能适应各种要求了。半导体存储器的研制成功和大量生产，大大促进了计算机的发展。由于MOS存储器在高密度、大容量和低功耗、低成本方面具有显著优点，所以它在半导体存储器中一直占据主导地位。随着新工艺、新技术的迅速发展，MOS存储器在速度上也不断提高，特别是在非易失性存储器的研究开发方面，MOS存储器也取得了很大进展。所以，MOS存储器随着它发展的日益成熟，已经形成电子学中一个新的
，成为大规模、超大规模集成电路的一个重要方面。存储器按其功能可分为两大类随机存取存储器(RAM)和非易失性存储器(NVM)。RAM随机存取存储器可以分为动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)两种。NVM非易失性存储器又可分为磁介质和光介质存储器、铁电存储器(FRAM)、磁存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪烁存储器控制栅堆积结构的侧壁形成工艺，其特征是侧壁介质淀积为由氧化膜和氮化硅膜构成的双层介质结构，具体步骤是在控制栅堆积结构形成后(1)进行典型RCA两步预清洗；(2)采用硅烷-N2O气体源进行LPCVD侧壁氧化膜SiO2淀积；(3)采用二氯二氢硅-氨气体源进行LPCVD侧壁氮化硅膜Si3N4淀积；(4)进行侧壁回刻蚀氮化硅膜。2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王刘坤，
申请(专利权)人：上海华虹集团有限公司，上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：