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一种闪烁存储器控制栅堆积结构的侧壁形成工艺，其特征是：侧壁介质淀积为由氧化膜和氮化硅膜构成的双层介质结构，具体步骤是在控制栅堆积结构形成后： （１）进行典型ＲＣＡ两步预清洗； （２）采用硅烷－Ｎ↓［２］Ｏ气体源进行ＬＰＣＶＤ侧壁...该专利属于上海华虹(集团)有限公司、上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹(集团)有限公司、上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。