一种减小孤立接触孔和密集接触孔之间尺寸差异的方法技术

一种集成电路工艺中减小孤立接触孔和密集接触孔之间尺寸差异的方法，其特征在于在接触孔光刻后进行紫外线固胶。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造工艺
，具体涉及一种集成电路工艺中减小孤立接触孔和密集接触孔之间尺寸差异的方法。
技术介绍
在先进的半导体制造工艺中，随着特征尺寸的逐步缩小，其控制规范也越来越紧。集成电路制造中由于接触孔的孤立结构和密集结构同时存在，如何缩小二者之间的差异从而将所有结构控制在同一规范内显得越来越困难。尤其在接触孔光刻方面，由于应用了象PSM(移相掩膜)一类的RET(Resolution Enhancement Technology，分辨率增强技术)，在解决了分辨率问题的同时也很容易出现孤立接触孔尺寸远比密集接触孔尺寸小的情况。解决此类问题的常规方法是在版上加OPC(Optical Proximity Correction，光学临近效应修正)，但成本很高，周期很长，而且在工艺更改(如光刻胶更换，曝光时照明方式改变等等)后原有的OPC不能适应新工艺。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种成本低、周期短、工艺灵活性强的减小孤立接触孔尺寸和密集接触孔尺寸小差异的方法。为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是利用光刻胶在紫外线照射下收缩的特性，在接触孔光刻后增加一步紫外线固本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路工艺中减小孤立接触孔和密集接触孔之间尺寸差异的方法，其特征在于在接触孔光刻后进行紫外线固胶。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上述的紫外线固胶采用对紫外线敏感的DUV光刻胶。3.根据权利要求1、2所述的方法，其特征在于，通过调节光刻胶烘烤温度、时间及紫外功率来控制光刻胶的收缩，调整孤立接触孔和...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖慧敏，
申请(专利权)人：上海华虹集团有限公司，上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：