一种防止旁瓣被刻蚀转移到衬底的方法技术

一种防止旁瓣被刻蚀转移到衬底的方法，其特征在于在接触孔光刻后、刻蚀前增加一步烘烤，并通过调整光刻胶烘烤温度和时间来控制光刻胶流动的程度，以填平旁瓣而不影响正常孔。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造工艺
，具体涉及一种接触孔处理工艺中防止旁瓣被刻蚀转移到衬底的方法。
技术介绍
在先进的半导体制造工艺中，PSM(移相掩膜)的使用越来越广泛。尤其在接触孔光刻方面，Attenuated PSM-弱化移相掩膜(或称HalfTone Mask，意为半调膜)已经成为0.18um及以下技术节点中通用的解决方案。但由于Attenuated PSM在非接触孔区域也有6％(或8％)的透光率，在正常孔被曝出来的同时，Side lobe(旁瓣，或称Dimple，酒窝，指正常孔点阵对角线交叉处版图上没有但曝光后出现的小孔)也会出现，并且在刻蚀过程被转移到衬底，导致不该开孔的地方孔被开出，制约了工艺窗口。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种可防止光刻后出现的旁瓣被刻蚀转移到衬底的方法。为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是，在接触孔光刻后、刻蚀前增加一步烘烤，充分利用光刻胶经烘烤升温后具有流动的特性，通过选择优化的烘烤温度及时间来控制光刻胶流动的程度，达到填平旁瓣而不影响正常孔的目的。可有效控制旁瓣效应，防止旁瓣孔因为光刻胶被刻透而转移到衬底上。光刻胶烘烤温度的范围可控制在140℃~160℃，光刻胶烘烤时间的范围可控制在20秒~120秒。附图说明图1为现有技术剖面图，其工艺流程为(a)第一步孔光刻，光刻后正常孔旁边出现旁瓣；(b)第二步孔刻蚀，刻蚀后旁瓣被转移到衬底。图2为本专利技术技术剖面图，其工艺流程为(a)第一步孔光刻，光刻后正常孔旁边出现旁瓣；(b)第二步烘烤，烘烤后光刻胶发生轻微流动将旁瓣填平而对正常孔影响很小或没有影响；(c)第三步孔刻蚀，由于旁瓣已被烘烤填平，不会被刻蚀转移到衬底。附图标号1为光刻胶、2为介质、3为衬底。具体实施例方式参见图2，在现有技术工艺流的孔光刻后增加一次烘烤，充分利用光刻胶升温后流动的特性，通过选择优化的烘烤温度及时间来控制光刻胶流动的程度，达到填平旁瓣而不影响正常孔的目的。为保证正常孔形貌，具体的烘烤温度及时间取决于光刻胶的种类及厚度，以及旁瓣深度，也与刻蚀工艺有关。作为具体实施方案，可选用ESCAP光刻胶，烘烤温度可控制在140-160℃，较好的温度为150℃左右，烘烤时间可控制在20-120秒，较好的时间为40-80秒。本专利技术充分利用了光刻胶升温后流动的特性，通过选择优化的烘烤温度及时间来控制光刻胶流动的程度，达到填平旁瓣而不影响正常孔的目的。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防止旁瓣被刻蚀转移到衬底的方法，其特征在于在接触孔光刻后、刻蚀前增加一步烘烤，并通过调整光刻胶烘烤温度和时间来控制光刻胶流动的程度，以填平旁瓣而不影响正常孔。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖慧敏，
申请(专利权)人：上海华虹集团有限公司，上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：