三层氮化硅薄膜电池片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种三层氮化硅薄膜电池片。它解决了现有电池片中反折射膜采用双层结构，太阳光反射量大，光电转换效率低等技术问题。本三层氮化硅薄膜电池片，包括硅片，硅片的正面涂覆有三层减反射膜，三层减反射膜均为氮化硅膜，三层减反射膜包括由下至上分布的第一层膜、第二层膜和第三层膜，第一层膜覆盖于硅片的正面，第一层膜的厚度为8‑12nm，第二层膜覆盖于第一层膜的上表面，第二层膜的厚度为13‑17nm，第三层膜覆盖于第二层膜的上表面，第三层膜的厚度为53‑57nm，第一层膜、第二层膜和第三层膜三者的总厚度为80nm；三层减反射膜的上表面印有主栅线和次栅线，主栅线的两端开设有镂空凹槽，硅片的背面印有背电极。本实用新型专利技术具有光电转换效率高的优点。

Three layer silicon nitride thin film battery sheet

The utility model provides a three layer silicon nitride thin film battery sheet. The utility model solves the technical problems of double layer structure, large solar reflection and low photoelectric conversion efficiency of the reverse refraction film in the prior battery sheet. The three layer of silicon nitride thin film battery, including silicon, silicon wafer is coated with three layer antireflection film, antireflection film three layer is a silicon nitride film, antireflection film includes three layers from the bottom to the top of the first layer distribution film, second film and third film, the first film layer covered on the silicon wafer front the first film thickness of 8 12NM, on the surface of the second film covers the first layer, the second layer film thickness of 13 17nm, on the surface of the third film covered on the second layer, third layer film thickness of 53 57nm, the total thickness of the first layer, the second layer the three film and third film is 80nm; three layer antireflection film is printed on the upper surface of the main gate line and a gate line at both ends of the main gate line is provided with a hollow groove, printed on the back of the back electrode of silicon wafer. The utility model has the advantages of high photoelectric conversion efficiency.

【技术实现步骤摘要】
三层氮化硅薄膜电池片
本技术属于电池片
，涉及一种电池片，特别是一种三层氮化硅薄膜电池片。
技术介绍
随着人类社会的高速发展，环境恶化与能源短缺己成为全世界最为突出的问题。目前，全球总能耗的70％以上都来自石油、天然气、煤等化石能源。这些常规能源都是不可再生能源，无论从世界还是从中国来看，常规能源都是很有限的，因此，开发利用可再生能源、实现能源工业可持续发展的任务更加迫切，更具深远的意义。太阳能是人类最主要的可再生资源。太阳能以其独具的优势，其开发利用是最终解决常规能源特别是石化能源短缺、环境污染和温室效应等问题的有效途径，是人类理想的替代能源。太阳能是指太阳的热辐射能，主要表现就是常说的太阳光线，其中太阳能电池片就是将太阳能转化为电能的半导体器件。在光伏领域，当太阳光照射到太阳能电池表面时，有一部分光被反射，裸硅片的反射率高达33％，造成很大的光损失，导致产生的载流子减少，最终引起电池效率下降，因此减少光在电池表面的反射就变得很有必要，根据薄膜干涉原理，在电池表面镀一层或多层薄膜，可以有效减少光的反射，这种膜就是所谓的减反膜。减反膜的基本原理是利用光在减反射膜上下表面反射所产本文档来自技高网...

【技术保护点】
三层氮化硅薄膜电池片，包括硅片，其特征在于，所述硅片的正面涂覆有三层减反射膜，三层减反射膜均为氮化硅膜，三层减反射膜包括由下至上分布的第一层膜、第二层膜和第三层膜，第一层膜覆盖于硅片的正面，第一层膜的厚度为8‑12nm，第二层膜覆盖于第一层膜的上表面，第二层膜的厚度为13‑17nm，第三层膜覆盖于第二层膜的上表面，第三层膜的厚度为53‑57nm，第一层膜、第二层膜和第三层膜三者的总厚度为80nm；所述三层减反射膜的上表面印有主栅线和次栅线，主栅线的两端开设有镂空凹槽，镂空凹槽槽宽为主栅线线宽的2/3，镂空凹槽槽深为主栅线长度的1/12，硅片的背面印有背电极。

【技术特征摘要】
1.三层氮化硅薄膜电池片，包括硅片，其特征在于，所述硅片的正面涂覆有三层减反射膜，三层减反射膜均为氮化硅膜，三层减反射膜包括由下至上分布的第一层膜、第二层膜和第三层膜，第一层膜覆盖于硅片的正面，第一层膜的厚度为8-12nm，第二层膜覆盖于第一层膜的上表面，第二层膜的厚度为13-17nm，第三层膜覆盖于第二层膜的上表面，第三层膜的厚度为53-57nm，第一层膜、第二层膜和第三层膜三者的总厚度为80nm；所述三层减反射膜的上表面印有主栅线和次栅线，主栅线的两端开设有镂空凹槽，镂空凹槽槽宽为主栅线线宽的2/3，镂空凹槽槽深为主栅线长度的1/12，硅片的背面印有背电极。...

【专利技术属性】
技术研发人员：范启超，徐兆远，
申请(专利权)人：浙江晶能光电有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33