高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池，在N型硅衬底的正面依次形成P+层、氧化硅层、氧化铝层和金属电极，在N型硅衬底的背面依次形成N+层、氮化硅层和金属电极，其特征在于：在正面金属化区域下方存在一层20nm以上的致密氧化硅层，该氧化硅层的宽度比金属栅线宽200um以上。同时，本发明专利技术还公开了一种制备所述高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池的方法。本发明专利技术提供的N型晶体硅双面电池平均效率高于21.5%，并能有效的通过温度为85度、湿度为85%、持续时间为96h的PID测试。

High conversion efficiency anti PID type N crystal silicon double faced cell and preparation method thereof

The invention discloses a N type double crystal silicon battery with high conversion efficiency against PID, in front of the N type silicon substrate sequentially forming a P+ layer, a silicon oxide layer, alumina layer and metal electrode on the back of the N type silicon substrate sequentially forming a N+ layer and a silicon nitride layer and metal electrode, characterized in that in front of metallized area below a layer above 20nm dense silicon oxide layer, the silicon oxide layer of the metal gate width than the width of the 200um above. At the same time, the invention also discloses a method for preparing the N type crystal silicon double faced battery with high conversion efficiency and anti PID. The N crystal silicon double-sided battery provided by the invention has an average efficiency of more than 21.5% and can effectively pass the PID test with a temperature of 85 degrees, a humidity of 85% and a duration of 96h.

【技术实现步骤摘要】
高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池及其制备方法
本专利技术涉及一种双面太阳电池，尤其涉及一种高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池及其制备方法，属于太阳电池生产

技术介绍
提高太阳能电池效率，降低组件的度电成本，从而实现平价上网是太阳能电池行业发展的主旋律。N型硅片由于其硅片具有良好的少子寿命，无LID效应等优点，因此被广泛的应用于各种高效电池结构。其中N型双面电池由于其具有双面发电的优势，能够提升组件的发电量，有效降低组件的度电成本，因此受到很大的关注与研究。目前，N型双面电池的电池结构主要为正面采用B掺杂形成PN结，采用氧化铝加氮化硅进行钝化减反，背面采用P掺杂形成背场，采用氮化硅进行减反钝化。这种结构的电池目前已经能够实现量产，效率在21％以上，背面效率能够达到正面效率的90％以上。然而，这种结构的电池在进行PID测试时，当电压为-1000V，电池的正面会累积大量的正电荷，进行吸引P+层中的电子到硅片表面，增加表面复合速率，降低电池的效率。当正电荷进一步累计时，会引起反型，使P+层反型成N+层，导致电池效率进一步下降。在P型电池中，为了克服PID失效的问题，常见的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池，在N型硅衬底的正面依次形成P+层、氧化硅层、氧化铝层和金属电极，在N型硅衬底的背面依次形成N+层、氮化硅层和金属电极，其特征在于：在正面金属化区域下方存在一层20nm以上的致密氧化硅层，该氧化硅层的宽度比金属栅线宽200um以上。

【技术特征摘要】
1.一种高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池，在N型硅衬底的正面依次形成P+层、氧化硅层、氧化铝层和金属电极，在N型硅衬底的背面依次形成N+层、氮化硅层和金属电极，其特征在于：在正面金属化区域下方存在一层20nm以上的致密氧化硅层，该氧化硅层的宽度比金属栅线宽200um以上。2.一种制备权利要求1所述的高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池的方法，包括如下步骤：S1：选取N型硅片进行双面碱制绒，以形成低反射率的绒面；S2：在制绒后的硅片上用APCVD的方式在硅片的正面分别沉积一层BSG和一层SiO2；S3：将硅片放置在磷扩散管中进行磷扩散，以形成正表面的P+层和背表面的N+层；S4：将扩散后的硅片进行单面HF清洗，去除正表面的BSG层，保留背面的PSG层；S5：清洗后的硅片在氧化管中进行高温氧化，使正面形成一层氧化硅层，同时使背面PSG层中的磷原子进一步扩散到硅片中；S6：氧化后的硅片在正面金属印刷区域施加一层蜡，然后进行HF清洗，去除正面没有蜡区域的氧化硅和背面的PSG；S7：在硅片的正面先后沉积氧化铝...

【专利技术属性】
技术研发人员：王子港，崔艳峰，袁声召，盛赟，刘成法，陈达明，陈奕峰，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32