N型双面电池及其加工方法技术

本发明专利技术公开了N型双面电池，包括N型基体，N型基体，一侧依次设置有重掺杂发射极区域、轻掺杂发射极区域、正面钝化减反膜、正面电极，另一侧依次设置有背面钝化减反膜和背面电极，并且背面电极与N型基体连接的位置处设有局部掺杂背表面场，其中：正面电极穿过正面钝化减反膜与重掺杂发射极形成欧姆接触；背面电极穿过背面钝化减反膜与局部磷掺杂背表面场形成欧姆接触。本发明专利技术的N型双面电池及其加工方法，在金属区域下增加掺杂浓度和减少接触面积来降低金属区域的复合，减少掺杂区域面积降低掺杂区域复合，从而减少整体复合，提高电池的性能。

N type double faced battery and processing method thereof

The invention discloses a N type double sided battery, including type N matrix, N matrix, one side is arranged with a heavily doped emitter region, lightly doped emitter region, positive passivation and anti reflection film, positive electrode, the other side is arranged with a backside passivation and anti reflection film and the back electrode position and the back surface electrode and N type matrix connected with a local doped back surface field, including: the positive electrode through positive passivation and anti reflection film and the heavily doped emitter ohmic contact; the back electrode through a back surface passivation and anti reflection film and the local phosphorus doped back surface field ohmic contact. N type double sided battery of the invention and the processing method in the metal region under increasing doping concentration and reducing the contact area to reduce the composite metal area, reduce the area of lower doping doping region compound, thereby reducing the overall composite, improve the performance of the battery.

【技术实现步骤摘要】
N型双面电池及其加工方法
本专利技术涉及N型电池
，特别是涉及N型双面电池及其加工方法。
技术介绍
N型硅材料具有以下的优点：（1）N型材料中的杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力。相同电阻率的N型硅片的少子寿命比P型硅片的高，达到毫秒级。（2）N型硅片对金属污杂的容忍度要高于P型硅片，Fe、Cr、Co、W、Cu、Ni等金属对P型硅片的影响均比N型硅片大。（3）N型硅电池组件在弱光下表现出比常规P型硅组件更优异的发电特性。但是其在使用时，金属区域和掺杂区域存在着严重的复合，降低电池的发电能力。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的不足，本专利技术提供了一种N型双面电池及其加工方法，解决了现有技术中存在的问题。在N型双面电池中制约效率的主要因素是金属区域和掺杂区域带来的复合，本专利技术采用在金属区域下增加掺杂浓度和减少接触面积来降低金属区域的复合，减少掺杂区域的面积来减少掺杂区域的复合。本专利技术所采用的技术方案是：N型双面电池，包括N型基体，N型基体，一侧依次设置有的重掺杂发射极区域、轻掺杂发射极区域、正面钝化减反膜、正面电极，另一侧依次设置有背面钝化减本文档来自技高网...

【技术保护点】
N型双面电池，其特征在于：包括N型基体（1），N型基体（1），一侧依次设置有的重掺杂发射极区域（2）、轻掺杂发射极区域（3）、正面钝化减反膜（4）、正面电极（5），另一侧依次设置背面钝化减反膜（7）和背面电极（8），并且背面电极8与N型基体１连接的位置处设有局部掺杂背表面场（6）；其中：正面电极（5）穿过正面钝化减反膜（4）与重掺杂发射极（2）形成欧姆接触；背面电极（8）穿过背面钝化减反膜（7）与局部掺杂背表面场（6）形成欧姆接触。

【技术特征摘要】
1.N型双面电池，其特征在于：包括N型基体（1），N型基体（1），一侧依次设置有的重掺杂发射极区域（2）、轻掺杂发射极区域（3）、正面钝化减反膜（4）、正面电极（5），另一侧依次设置背面钝化减反膜（7）和背面电极（8），并且背面电极8与N型基体１连接的位置处设有局部掺杂背表面场（6）；其中：正面电极（5）穿过正面钝化减反膜（4）与重掺杂发射极（2）形成欧姆接触；背面电极（8）穿过背面钝化减反膜（7）与局部掺杂背表面场（6）形成欧姆接触。2.根据权利要求1所述的N型双面电池，其特征在于：局部掺杂背表面场（6）由若干个直线形或线段形或者圆形或不规则形局部掺杂背表面场单元（61）排列而成，局部掺杂背表面场单元（61）上形成局部接触电极（11）后，由若干连接栅线（10）连接，若干连接栅线（10）之间再通过若干主栅线（9）连接汇流；并且连接栅线和主栅线均不与局部掺杂背表面场(6)形成欧姆接触。3.根据权利要求2所述的N型双面电池，其特征在于：局部接触电极（11）为直线或线段时，宽度为10-100μm；为圆形时，直径为30-100μm；连接栅线宽度为20μm-100μm，主栅线宽度为0.5mm-1.5mm。4.根据权利要求2所述的N型双面电池，其特征在于：局部掺杂背表面场单元（61）的直线或线段宽度为80微米-600微米，圆点直径为200微米-600微米，背面局部掺杂区域占电池背面面积的4%-30%。5.根据权利要求1-4任意一项所述的N型双面电池，其特征在于：局部掺杂背表面场（6）的方阻为10-70ohm/sq。6.根据权利要求1所述的N型双面电池，其特征在于：重掺杂发射极区域（2）由若干个直线形或线段形或者圆形发射极单元（21）排列而成，每一个发射极单元（21）的宽度或者直径为80微米-300微米，重掺杂区域的面积占正表面面积的4%-30%。7.根据权利要求6所述的N型双面电池，其特征在于：重掺杂发射极区域（2）的发射极单元（21）上形成局部接触电极（11）后，若干局部接触电极（11）之间通过若干连接栅线（10）连接，若干连接栅线（10）之间通过一系列主栅线（9）汇流，并且连接栅线（10）、主栅线（9）不与重掺杂发射极区域（2）和轻掺杂发...

【专利技术属性】
技术研发人员：李华，鲁伟明，
申请(专利权)人：泰州乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32