一种双面电池边缘无损伤隔离方法技术

本申请公开了一种双面电池边缘无损伤隔离方法，包括：在经过正面硼扩散和刻蚀之后的硅片的背面边缘和侧面，制作环形的扩散阻挡层，其中，所述硅片的背面边缘的所述扩散阻挡层具有预设宽度；在所述硅片背面的所述扩散阻挡层环绕的区域内，进行磷扩散形成n+层和PSG层；去除所述扩散阻挡层和所述PSG层。本申请提供的双面电池边缘无损伤隔离方法，能够抑制硼和磷原子在边缘区域的交叉扩散，实现无损伤边缘隔离，并避免了刻蚀工艺的引入而带来的工艺成本增加和边缘漏电的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于新型高效晶硅太阳能电池
，特别是涉及一种双面电池边缘无损伤隔离方法。
技术介绍
1954年美国贝尔实验室制备出世界上第一块转换效率为6％的单晶硅太阳电池，经过科学家六十年的不断探索，太阳电池取得了巨大的突破，最高转换效率已经达到了46％(聚光多结GaAs)，而占据光伏市场多年的P型晶硅太阳电池逐渐展现出效率增长疲态、光衰幅度过大等劣势。虽然用Ga替代B原子掺杂可以避免光致衰减效应，但由此而引起的较宽的电阻率分布范围以及Fe元素污染问题，依然会制约P型电池效率的进一步提高。而N型太阳电池则得益于其高效率、低衰减的优势，成为光伏行业内新的研究热点。在高效N型技术方面，最典型的代表是美国SunPower公司的IBC电池和日本Panasonic公司的HIT电池。但这两种电池技术的缺点是生产设备非常昂贵、工艺复杂、制造成本很高，另外也具有很高的技术壁垒。而光伏行业的最终目标是降低发电成本，N型高效电池的研发必须避开复杂的技术路线以降低工艺成本。N型双面电池的技术路线较之常规P型电池只增加了背面扩散与钝化工艺，几乎所有设备均可采用现有量产设备进行开发，增加的设备与工艺成本很本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面电池边缘无损伤隔离方法，其特征在于，包括：在经过正面硼扩散和刻蚀之后的硅片的背面边缘和侧面，制作环形的扩散阻挡层，其中，所述硅片的背面边缘的所述扩散阻挡层具有预设宽度；在所述硅片背面的所述扩散阻挡层环绕的区域内，进行磷扩散形成n+层和PSG层；去除所述扩散阻挡层和所述PSG层。

【技术特征摘要】
1.一种双面电池边缘无损伤隔离方法，其特征在于，包括：在经过正面硼扩散和刻蚀之后的硅片的背面边缘和侧面，制作环形的扩散阻挡层，其中，所述硅片的背面边缘的所述扩散阻挡层具有预设宽度；在所述硅片背面的所述扩散阻挡层环绕的区域内，进行磷扩散形成n+层和PSG层；去除所述扩散阻挡层和所述PSG层。2.根据权利要求1所述的双面电池边缘无损伤隔离方法，其特征在于，所述制作环形的扩散阻挡层为：制作环形的SiNxOy掩膜层。3.根据权利要求2所述的双面电池边缘无损伤隔离方法，其特征在于，所述预设宽度为1毫米至3毫米。4.根据权利要求3所述的双面电池边缘无损伤隔离方法，其特征在于，所述在所述硅片的背面边缘和侧面，制作环形的扩散阻挡层的同时，还包括：在所述硅片的正面制作扩散阻挡层。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨洁，张昕宇，金浩，王东，王金艺，康迪，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33