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本申请公开了一种双面电池边缘无损伤隔离方法，包括：在经过正面硼扩散和刻蚀之后的硅片的背面边缘和侧面，制作环形的扩散阻挡层，其中，所述硅片的背面边缘的所述扩散阻挡层具有预设宽度；在所述硅片背面的所述扩散阻挡层环绕的区域内，进行磷扩散形成n+层...
该专利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司授权不得商用。

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