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一种超大规模集成电路ＣＭＯＳ制造中改进热载流子效应的工艺集成方法，其特征是：在栅氧化工艺前增加热氧化工艺，生长一氧化层，再用湿法腐蚀的方法将氧化层去除；在晶体管栅多晶图定义完成之后，进行热氧化工艺，生长一氧化层，该氧化层在晶体管漏源工艺前不...该专利属于上海华虹(集团)有限公司、上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹(集团)有限公司、上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。