【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制造领域，尤其涉及。
技术介绍
双极晶体管是构成现代大规模集成电路的器件结构之一，双极晶体管优点在于操 作速度快、单位芯片面积的输出电流大、导通电压变动小，适于制作模拟电路。随着半导体工艺的不断发展，对器件性能要求越来越高，对晶体管(例如双极型 晶体管)的性能要求也相应提高。对于双极型晶体管来说，集电极-基极反向击穿电压和特征频率是两个比较重要 的参数，这两个参数相互平衡。集电极-基极反向击穿电压，该电压是指当晶体管发射极开 路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示；晶体管的工作频率 超过截止频率 ·β或fa时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降，特征频率是 指β值降为1时晶体管的工作频率，特征频率用fT表示，通常将特征频率fT小于或等于 3ΜΗΖ的晶体管称为低频管，将特征频率fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将特征 频率fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。现有晶体管结构请参考图1，图1为采用平面工艺制成的NPN型硅材料晶体管的结 构示意图，位于中间层的P区称为基区12，它很...
【技术保护点】
一种晶体管的制作方法，包括以下步骤：制作集电区；在所述集电区上制作基区；在所述基区上制作发射区；其特征在于：所述方法还包括：以所述发射区为掩膜，对所述基区进行离子注入，所述离子注入的能量范围为５ＫｅＶ至１５０ＫｅＶ，剂量范围为３ｅ１５ｃｍ↑［－２］至３ｅ１２ｃｍ↑［－２］，使得离子能够注入到所述基区以及所述集电区内，注入完成后进行扩散工艺，在所述基区以及所述集电区内形成掺杂区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴小利，唐树澍，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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