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本发明提出一种晶体管的制作方法，包括以下步骤：制作集电区；在所述集电区上制作基区；在所述基区上制作发射区；以所述发射区为掩膜，对所述基区进行离子注入，所述离子注入的能量范围为５－１５０ｋｅＶ，剂量范围为３ｅ１５－３ｅ１２ｃｍ－２，使得离子能...该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明提出一种晶体管的制作方法，包括以下步骤：制作集电区；在所述集电区上制作基区；在所述基区上制作发射区；以所述发射区为掩膜，对所述基区进行离子注入，所述离子注入的能量范围为５－１５０ｋｅＶ，剂量范围为３ｅ１５－３ｅ１２ｃｍ－２，使得离子能...