一种IGBT芯片可变栅内阻制造技术

本实用新型专利技术一种IGBT芯片可变栅内阻，所述IGBT芯片包括栅极区，所述栅极区集成IGBT芯片的开关特性；所述栅极区包括栅焊盘区和栅汇流条区；所述栅内阻串联在所述栅焊盘区和栅汇流条区之间；所述栅内阻的大小在2-10Ω之间，本实用新型专利技术提供的方案使栅内阻灵活可变，应用范围广，改善了现有技术的固定栅电阻值的缺陷。通过改变多晶电阻的拓扑，可实现多晶电阻大小的调整。仅改变一块掩模版，改变多晶的拓扑，调节栅内阻，方便的实现可变栅内阻。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种栅内阻及其制造方法，具体涉及一种IGBT芯片可变栅内阻。
技术介绍
IGBT (绝缘栅双极晶体管)同时具有单极性器件和双极性器件的优点，驱动电路简单，控制电路功耗和成本低，通态压降低，器件自身损耗小，是未来高压大电流的发展方向。IGBT为3端器件，包括正面发射极，栅极及背面集电极。IGBT芯片有源区剖面图详见图1。包括低浓度的N-衬底区；衬底表面的栅极氧化层2，沉积在栅极氧化层2上的多晶硅栅极I ;栅极氧化层与N-衬底区之间的P-阱区3 ;位于P-阱区与栅极氧化层之间的N+区4 ;位于N-衬底区下方的背面注入区5 ;位于注入区下方的集电极7及位于栅极氧化层上方的发射极6。IGBT芯片由功能划分为有源区、终端区和栅极区三部分，其俯视图见图2。有源区又称元胞区，为芯片的功能区域；主要影响芯片的电流相关参数，如导通电压，阈值电压参数；终端区位于芯片的边缘区域，主要影响芯片的耐压参数；栅极区又可分为栅焊盘区及栅汇流条区，为芯片的栅极控制区域，影响器件的开关特性。IGBT芯片常用的栅极结构有平面型、沟槽型。IGBT芯片在串联适用时，通常会在栅焊盘区及栅汇流条区之间串联一个2 1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT芯片可变栅内阻，所述IGBT芯片包括栅极区，所述栅极区集成IGBT芯片的开关特性；所述栅极区包括栅焊盘区和栅汇流条区；其特征在于，所述栅内阻串联在所述栅焊盘区和栅汇流条区之间。

【技术特征摘要】
1.ー种IGBT芯片可变栅内阻，所述IGBT芯片包括栅极区，所述栅极区集成IGBT芯片的开关特性；所述栅极区包括栅焊盘区和栅汇流条区； 其特征在于，所述栅内阻串联在所述栅焊盘区和栅汇流条区之间。2.如权利要求1所述的IGBT芯片可变栅内阻，其特征在于，所述栅内阻设置在IGBT芯片栅极区，与IGBT芯片的外接电路栅外阻共同构成栅电阻。3.如权利要求1所述的IGBT芯片可变栅内阻，其特征在于，所述栅内阻为多晶电阻，分别与IGBT芯片制造时的孔掩模版和金属掩模版连接；所述栅内阻包含在IGBT芯片制造时多晶掩模版中。4.如权利要求3所述的IGBT芯片可变栅内阻，其特征在于，所述多晶电阻的大小由多晶的长和宽决定；多晶电阻的大小决定棚内阻的大小。5.如权利要求1所述的IGBT芯片可...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘江，高明超，赵哿，金锐，
申请(专利权)人：中国电力科学研究院，国家电网公司，
类型：实用新型
国别省市：