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本实用新型一种IGBT芯片可变栅内阻，所述IGBT芯片包括栅极区，所述栅极区集成IGBT芯片的开关特性；所述栅极区包括栅焊盘区和栅汇流条区；所述栅内阻串联在所述栅焊盘区和栅汇流条区之间；所述栅内阻的大小在2-10Ω之间，本实用新型提供的方案...
该专利属于中国电力科学研究院;国家电网公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国电力科学研究院;国家电网公司授权不得商用。

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