【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及半导体装置和制造装置的方法,特别是,涉及宽带隙(wide band-gap)半导体装置,如反向偏压下栅极-源极泄漏降低的碳化硅SiC垂直沟道结型场效应晶体管。
技术介绍
迄今为止,垂直沟道碳化硅结型场效应晶体管已被作为具有垂直或接近垂直的侧壁[1,2]的装置提出。但是,在具有垂直或接近垂直的侧壁的装置中,难以使用离子植入(ion implantation)实现均勻的p+侧壁掺杂。特别是,正常的入射离子植入会导致具有低掺杂浓度的非均匀的掺杂的侧壁。使用成角度的离子植入掺杂侧壁已有公开[1,3]。但是,即使采用这种方法,也很难实现具有均匀的沟道宽度(Ih)的理想化的结构。特别是,使用成角度的植入仍然会导致在沟槽底部附近的较 重掺杂和沿侧壁的非均匀掺杂从而降低装置的性能。此外,为确保两个侧壁上类似的掺杂,在植入过程中晶片必须旋转。但是,对于SiC,离子植入需要不同的能量的多个植入。因此,涉及晶片旋转和成角度的植入的过程会显著地增加制造工艺的复杂性和成本。因此,仍然存在对制造半导体装置如具有更均匀的和良好控制的沟道宽度的垂直JFET的改进的方法的需要。
技术实现思路
提供了一种半导体装置,包括第一导电类型的半导体材料的基材层;位于基材层的上表面上的第一导电类型的半导体材料的沟道层,所述沟道层包括下表面和一个或多个凸起区,所述一个或多个凸起区包括上表面和第一侧壁和第二侧壁,其中,与下表面相邻的凸起区的第一侧壁和第二侧壁向内逐渐变细并从垂直于基材层的上表面形成至少5°的角度,其中所述一个或多个凸起区包括第一导电类型的半导体材料的内部部分和不同于第一导电类型的第 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.05.25 US 61/347,9281.一种半导体装置,包括 第一导电类型的半导体材料的基材层; 位于基材层的上表面上的第一导电类型的半导体材料的沟道层,所述沟道层包括下表面和一个或多个凸起区,所述ー个或多个凸起区包括上表面和第一侧壁和第二侧壁,其中,与下表面相邻的凸起区的第一侧壁和第二侧壁向内逐渐变细并从垂直于基材层的上表面形成至少5°的角度,其中所述ー个或多个凸起区包括第一导电类型的半导体材料的内部部分和不同于第一导电类型的第二导电类型的半导体材料的外部部分,其中,所述外部部分与第一侧壁、第二侧壁相邻; 第二导电类型的半导体材料的栅极区,其位干与相邻的凸起区的外部部分相邻并与该外部部分邻接的沟道层的下表面中;和 第一导电类型的半导体材料的源极层,其位于ー个或多个凸起区的上表面上; 其中,所述凸起区的外部部分从源极层抵消,使得凸起区的外部部分不接触源极层。2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述凸起区的外部部分,被具有小于源极层的掺杂浓度的第一导电类型的半导体材料的区从源极层抵消。3.如权利要求1所述的半导体装置,其中,每个所述源极层和所述凸起区的外部部分具有至少lxl019cm_3的掺杂浓度。4.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述凸起区的外部部分从源极层抵消0.5 u m或更少。5.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述ー个或多个凸起区上表面包括凸起区的外部部分和内部部分,且其中,源极层位于凸起区的内部部分上,所述装置进ー步包括与凸起区的外部部分相邻的凸起区的上表面上的氧化物。6.如权利要求1所述的半导体装置,其中,与一个或多个凸起区的上表面相邻的第一侧壁和第二侧壁,朝向从垂直于基材层的上表面< 5°的角度。7.如权利要求1所述的半导体装置,其中,与一个或多个凸起区的上表面相邻的第一侧壁和第二侧壁,朝向从垂直于基材层的上表面< 2°的角度。8.如权利要求1所述的半导体装置,其中,与沟道层的下表面相邻的第一侧壁和第二侧壁向内逐渐变细,并从垂直于基材层的上表面形成至少5°的角度靠近基材层的栅极区的下表面与凸起区的上表面之间至少一半的距离。9.如权利要求1所述的半导体装置,其中,靠近基材的沟道层的表面与凸起区的上表面之间的垂直距离为0. 5至5 y m,且其中,沟道层具有I X IO16至I X IO18CnT3的掺杂浓度。10.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述基材具有的厚度为100至500iim且掺杂浓度为 I X IO19 至 5X 1019cnT3。11.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述源极层具有的厚度为0.1至1. 0 y m且掺杂浓度为I X IO18至I X IO20Cm'12.如权利要求1所述的半导体装置,其中,每个凸起区的外部部分和栅极区具有5 X IO18至I X IO20CnT3的掺杂浓度。13.如权利要求1所述的半导体装置,在基材和沟道层之间进ー步包括第一导电类型的半导体材料的漂移层。14.如权利要求13所述的半导体装置,其中,所述漂移层具有的厚度为5至IOOymi掺杂浓度为IXio14至2 X IO1WO15.如权利要求1所述的半导体装置,在基材和沟道层之间进ー步包括缓冲层。16.如权利要求13所述的半导体装置,在基材和漂移层之间进ー步包括缓冲层。17.如权利要求16所述的半导体装置,其中,所述缓冲层具有的厚度为0.1至l.Oiim且掺杂浓度为5 X IO17至5 X IO18Cm'18.如权利要求15所述的半导体装置,其中,所述缓冲层具有的厚度为0.1至l.Oiim且掺杂浓度为5 X IO17至5 X IO18Cm'19.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述装置包括多个凸起区,其中,所述多个凸起区是细长的并且被布置成间隔开的关系作为手指。20.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一导电类型的半导体材料是n型半导体材料,且其中,所述第二导电类型的半导体材料的是P型半导体材料。21.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述半导体材料是宽带隙半导体材料。22.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述半导体材料是碳化硅。23.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述装置是结型场效应晶体管JFE...
【专利技术属性】
技术研发人员:安德鲁·里特诺尔,大卫·C·谢里登,
申请(专利权)人:SSSCIP有限公司,
类型:
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。