【技术实现步骤摘要】
一种属于半导体器件测试
砷化镓场效应晶体管(GaAs MESFET)沟道温度Tch一般是根据附图说明图1所示的原理图进行测量的(参见Electrical Thermal Testing Puts Quality in GaAs FET Systems,By Bernard S.Siegal,Sage En-terprises,Inc.MSNAugust 1981)。其中K1是电子开关,D、G、S分别是漏、栅和源极。VDS是外加的加热脉冲电压,Igf是栅极电流,Vgsf是栅极电压。其工作过程请见图2的Theta 220A热阻测试仪波形图。在全部时间内,栅极加有小的正向测量电流IMO在t1时间内未对器件施加加热脉冲电压VDS和相应的漏极电流IDSO。根据IM可测得栅源正向压降Vgsf1,在t2时间内对器件施加VDS和IDS,使其处于特定工作状态。在t3时间内去掉VDS和IDS,使器件从该工作状态转换成测量状态,再次根据IM可测得测量状态下的栅源正向压降Vgsf2。然后,根据已知的相应于Vgsf的温度系数Tv由下述公式即可获得器件的热阻RthRth= (ΔTch) ...
【技术保护点】
砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法,其特征在于:它包含以下步骤:(1)在t↓[0]时间内,在设定的环境温度T↓[c]下,使被测管从负栅压向小正向栅极电流I↓[gs]转换,测出被测管在t↓[1]时间内的转换过程中的栅压V↓[gsf1](t )曲线;(2)从t↓[1]+的时刻起,在t↓[2]时间内,先后向被测管栅极施加负栅极电压V↓[GSR],和加热脉冲电压V↓[DS]使其处于工作状态;(3)从t↓[2]-时刻起,先后去掉电压V↓[DS]与V↓[GSR],使被测管从工作 状态转换到测量状态;(4)从t↓[2]+时刻起,在t↓[3]时间内,在设定的时间范围内, ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:吕长志,王明珠,王重,冯士维,丁广钰,李学信,
申请(专利权)人:北京工业大学,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。