砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法技术

技术编号:2555128 阅读:327 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法属于半导体器件测试技术领域。其特点是:分别在工作状态下加有加热脉冲电压的栅极负偏压以及只加有栅极负偏压且其管芯温度与环境温度相等的条件下测出器件向测量状态转换时的Vgsf与t的曲线和只加负偏压且在设定的不同管芯温度下各V′gsfl与时间的曲线,求出在一定栅极负偏压下的温度系数与时间的关系曲线把冷却曲线经过外推并使用器件多层三维模型求出在任意工作条件下的沟道温度、热阻、峰值沟道温度和峰值热阻。(*该技术在2014年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
一种属于半导体器件测试
砷化镓场效应晶体管(GaAs MESFET)沟道温度Tch一般是根据附图说明图1所示的原理图进行测量的(参见Electrical Thermal Testing Puts Quality in GaAs FET Systems,By Bernard S.Siegal,Sage En-terprises,Inc.MSNAugust 1981)。其中K1是电子开关,D、G、S分别是漏、栅和源极。VDS是外加的加热脉冲电压,Igf是栅极电流,Vgsf是栅极电压。其工作过程请见图2的Theta 220A热阻测试仪波形图。在全部时间内,栅极加有小的正向测量电流IMO在t1时间内未对器件施加加热脉冲电压VDS和相应的漏极电流IDSO。根据IM可测得栅源正向压降Vgsf1,在t2时间内对器件施加VDS和IDS,使其处于特定工作状态。在t3时间内去掉VDS和IDS,使器件从该工作状态转换成测量状态,再次根据IM可测得测量状态下的栅源正向压降Vgsf2。然后,根据已知的相应于Vgsf的温度系数Tv由下述公式即可获得器件的热阻RthRth= (ΔTch)/(PDISS) =本文档来自技高网...

【技术保护点】
砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法,其特征在于:它包含以下步骤:(1)在t↓[0]时间内,在设定的环境温度T↓[c]下,使被测管从负栅压向小正向栅极电流I↓[gs]转换,测出被测管在t↓[1]时间内的转换过程中的栅压V↓[gsf1](t )曲线;(2)从t↓[1]+的时刻起,在t↓[2]时间内,先后向被测管栅极施加负栅极电压V↓[GSR],和加热脉冲电压V↓[DS]使其处于工作状态;(3)从t↓[2]-时刻起,先后去掉电压V↓[DS]与V↓[GSR],使被测管从工作 状态转换到测量状态;(4)从t↓[2]+时刻起,在t↓[3]时间内,在设定的时间范围内,等时间间隔地测定V↓...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吕长志王明珠王重冯士维丁广钰李学信
申请(专利权)人:北京工业大学
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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