射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底，在所述P型衬底上生长P型外延层，在所述P型外延层中形成轻掺杂漂移区，在所述P型外延层上方设置有第一层法拉第盾及第二层法拉第盾，在所述轻掺杂漂移区中还包括两块第二次NLDD注入区域，分别位于所述第一层法拉第盾及所述第二层法拉第盾的下方。本发明专利技术能获得超过原有结构器件的性能，实现更高的击穿电压(高于120V)，同时还可以降低原有结构器件的导通电阻。同时本发明专利技术还公开了该晶体管的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造器件，特别是涉及一种射频横向双扩散场效应晶体管，本专利技术还涉及该晶体管的制造方法。
技术介绍
射频横向双扩散场效应晶体管(RFLDM0S)器件是半导体集成电路技术与微波电子技术融合而成的新一代集成化的固体微波功率半导体产品，具有线性度好、增益高、耐压高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、易于和MOS工艺集成等优点，并且其价格远低于砷化镓器件，是一种非常具有竞争力的功率器件，被广泛用于GSM，PCS,W-CDMA基站的功率放大器，以及无线广播与核磁共振等方面。RFLDM0S器件的击穿电压(BV)与导通电阻(Rdson)是两个用来衡量器件性能的重要参数。较高的击穿电压有助于保证器件在实际工作时的稳定性，如工作电压为50V的RFLDM0S器件，其击穿电压需要达到IlOV以上。而导通电阻(Rdson)则会直接影响到器件的输出功率与增益等特性。为了实现较高的击穿电压，一般RFLDM0S管采用了两层法拉第盾(G-shield)结构，这有利于电场更均匀地分布，如图1所示，采用掺高浓度P型杂质的衬底，即P型衬底11，根据器件耐压的要求不同，在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底，在所述P型衬底上生长P型外延层，在所述P型外延层中形成轻掺杂漂移区，在所述P型外延层上方设置有第一层法拉第盾及第二层法拉第盾，其特征在于，在所述轻掺杂漂移区中还包括两块第二次NLDD注入区域，分别位于所述第一层法拉第盾及所述第二层法拉第盾的下方。

【技术特征摘要】
1.一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底，在所述P型衬底上生长P型外延层，在所述P型外延层中形成轻掺杂漂移区，在所述P型外延层上方设置有第一层法拉第盾及第二层法拉第盾，其特征在于，在所述轻掺杂漂移区中还包括两块第二次NLDD注入区域，分别位于所述第一层法拉第盾及所述第二层法拉第盾的下方。2.如权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，还包括位于所述P型外延层上方的栅极氧化层及多晶硅栅，位于所述P型外延层中的利用离子注入和扩散工艺分别形成P阱、P+区域、N+源区及N+漏区，及P型多晶硅塞或金属塞结构。3.如权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述位于所述第一层法拉第盾下方的第二次NLDD注入区域，长度为0-0. 8微米。4.如权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述位于所述第二层法拉第盾下方的第二次NLDD注入区域，长度为0-0. 95微米。5.一种如权利要求1所述晶体管的制造方法，其特征在于，包括 步骤1、在P型衬底上生长P型外延层；经栅极氧化层生长后，淀积多晶硅，通过刻板定义并刻蚀出多晶硅栅，在刻蚀完成后，进行一步较高能量的轻掺杂LDD的N型离子注入，形成轻掺杂漂移区； 步骤2、通过光刻定义并进行离子注入形成两块第二次NLDD注入区域，所述两块第二次N...

【专利技术属性】
技术研发人员：李娟娟，慈朋亮，钱文生，韩峰，胡君，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：