射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括多晶硅栅及法拉第屏蔽层，所述法拉第屏蔽层为多晶硅法拉第屏蔽层。本发明专利技术射频横向双扩散场效应晶体管采用多晶硅法拉第屏蔽层的结构，与传统的制备法拉第屏蔽层工艺相比较，该制备工艺简单，只是增加了一次热氧化过程，减少了一次法拉第屏蔽层下方氧化层淀积与金属淀积和刻蚀过程，此方法制备的法拉第屏蔽层下方的氧化层的质量相对于普通的法拉第屏蔽层通过淀积的方式生长的要好，从而增强了器件的耐用性；并且本发明专利技术的器件相对于普通的金属法拉第屏蔽层器件，具有相同的击穿电压、导通电阻等特性。同时此方法所制备的台阶栅结构，也能起到抑制热载流子注入(HCI)的作用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种射频横向双扩散场效应晶体管，本专利技术还涉及该晶体管的制造方法。
技术介绍
随着3G时代的到来，通讯领域越来越多的要求更大功率的射频(RF)器件的开发。射频横向双扩散场效应晶体管(RFLDM0S)，由于其具有非常高的输出功率，早在上世纪90年代就已经被广泛应用于手提式无线基站功率放大中，其应用频率为900MHZ-3. 8GHz。RFLDM0S与传统的硅基双极晶体管相比，具有更好的线性度，更高的功率和增益。如今，RFLDM0S比双极管，以及GaAs器件更受欢迎。目前RFLDM0S的结构如图1所示，采用掺高浓度P型杂质的衬底，即P型衬底11，根据器件耐压的要求不同，在所述P型衬底11上，生长不同厚度和掺杂浓度的P型外延层12，通过光刻板定义，进行离子注入形成轻掺杂漂移区18 ;随后热氧生长一层栅极氧化层17 ;淀积多晶硅，光刻板定义并刻蚀出多晶硅栅15 ;利用离子注入和扩散工艺分别形成P阱14、P+区域19、N+源区110及N+漏区111 ;淀积法拉第屏蔽层下方氧化层，然后淀积金属或者金属硅化物，刻蚀出法拉第屏蔽层16。最后进行后续工艺，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括多晶硅栅及法拉第屏蔽层，其特征在于：所述法拉第屏蔽层为多晶硅法拉第屏蔽层。

【技术特征摘要】
1.一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括多晶硅栅及法拉第屏蔽层，其特征在于所述法拉第屏蔽层为多晶硅法拉第屏蔽层。2.如权利要求1所述射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于所述多晶硅栅为台阶型。3.如权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于还包括多晶硅下方氧化层，所述氧化层的结构为台阶型，即所述多晶硅栅下方的氧化层比所述多晶硅法拉第屏蔽层下方的氧化层薄。4.如权利要求3所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于所述多晶硅法拉第屏蔽层下方的氧化层的厚度为O.1微米-1微米，所述多晶硅栅下方的氧化层的厚度为O.005微米-O.1微米。5.一种如权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括 步骤1、在P型衬底上生长P型外延层；通过光刻板定义出轻掺杂漂移区，进行离子注A ； 步骤2、进行热氧生长一层较厚的氧化层，然后通过光刻板定义并将源端和栅极下方的氧化层全部或者部分去除，然后再进行一次热氧过程，生长一层较薄的氧化层，使之成为台阶形的氧化层结构； 步骤3、淀积多晶硅，光刻板定义并刻蚀出多晶硅栅和法拉第屏蔽层； 步骤4、P阱的形成方式，在多晶硅栅形成后通过自对准的工艺，加高温推进形成； 步骤5、源漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：李娟娟，钱文生，韩峰，慈朋亮，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：