射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，在P型衬底上生长外延层，所述外延层结构为从下往上分别为P型轻掺杂外延层、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂外延层与N型重掺杂外延层的层叠结构。本发明专利技术的RFLDMOS具有比普通RFLDMOS更低的RDSON，较大的BV，同时具有较低的输出电容。同时，本发明专利技术采用外延生长技术，使得外延层的厚度、导电类型、掺杂浓度等均易于控制，并且减少了一次漂移区离子注入和光刻过程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种射频横向双扩散场效应晶体管，另外本专利技术还涉及该晶体管的制造方法。
技术介绍
随着3G时代的到来，通讯领域越来越多的要求更大功率的射频(RF)器件的开发。射频横向双扩散场效应晶体管(RFLDM0S)，由于其具有非常高的输出功率，早在上世纪 90年代就已经被广泛应用于手提式无线基站功率放大中，其应用频率为900MHZ-3. 8GHz。 RFLDM0S与传统的硅基双极晶体管相比，具有更好的线性度，更高的功率和增益。如今， RFLDM0S比双极管，以及GaAs器件更受欢迎。目前RFLDM0S的结构如图1所示，采用掺高浓度P型杂质的衬底，即P型衬底11， 在所述P型衬底11上根据器件耐压的要求不同成长不同厚度和掺杂浓度的P型外延层12， 利用离子注入和扩散工艺形成P型多晶硅塞或金属塞13，形成P阱14，氧化层17和多晶硅栅15 ;轻掺杂的漂移区(LDD) 18 ;法拉第屏蔽层16、P+区域19、N+源区110及N+漏区111 ; 这种结构在漏端有轻掺杂的漂移区(LDD) 18，从而使其具有较大的击穿电压(BV)，但是由于漂移区18的浓度较淡本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频横向双扩散场效应晶体管，在P型衬底上生长外延层，其特征在于：所述外延层结构为从下往上分别为P型轻掺杂外延层、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂外延层与N型重掺杂外延层的层叠结构。

【技术特征摘要】
1.一种射频横向双扩散场效应晶体管，在P型衬底上生长外延层，其特征在于所述外延层结构为从下往上分别为P型轻掺杂外延层、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂外延层与N型重掺杂外延层的层叠结构。2.如权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，还包括漂移区，所述漂移区结构从下往上分别为P型轻掺杂外延层、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂外延层与N型重掺杂外延层的层叠结构。3.如权利要求1的所述射频横向双扩散场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括 步骤1、在P型衬底上生长P型轻掺杂外延层，在所述P型轻掺杂外延层上生长ー层N型轻掺杂外延层，在所述N型轻掺杂外延层上生长ー层P型重掺杂外延层，在所述P型重掺杂外延层上再生长ー层N型重掺杂外延层； 步骤2、P阱的形成，通过模板定义P阱区域，离子注入并高温推进形成P阱； 步骤3、多晶硅栅的形成，通过热氧化生长ー层氧化层，然后淀积ー层多晶硅，通过模板定义刻蚀出其图形，形成多晶硅栅； 步骤4、通过光刻版定义出P+区域、N+源区及N+漏区； 步骤5、法拉第屏蔽层的形成，淀积ー层介质层，然后淀积ー层金属，通过模板定义，刻蚀形成法拉第屏蔽层； 步骤6、多晶硅塞或者金属塞的形成，通过模板定义出多晶硅塞或者金属塞...

【专利技术属性】
技术研发人员：李娟娟，钱文生，韩峰，慈朋亮，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：